Wafer

국내 Wafer의 시장동향(2005년까지) [PDF]

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본 컨텐츠는 시장조사, 수요예측 전문업체인 ㈜밸류애드에서 Wafer에 대한 시장동향 정보입니다. 작성일자를 반드시 확인하시고, 최근에 작성된 정보를 구매하시기 바랍니다. 본 컨텐츠에서는 국내 Wafer의 ..

화학공학 - wafer cleaning(웨이퍼 세척) 과제

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Wafer cleaning 1. Types and sources of contamination Particles- 먼지, 꽃가루, clothing particles, 박테리아 등. 보통의 공간(1큐빅 피트 안에)에는0.5 micron 이상 크기의 입자 10 6 개 이상 있다. 20 mic..

반도체공정 실험 - Cleaning Oxidation

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실험 1 : Cleaning Oxidation 1. 실험 목적 MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 Wafer cleaning Oxidation 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide ..

실리콘웨이퍼의 분기별 시장동향

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실리콘웨이퍼의 월별 시장동향

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반도체공학 실험 - Annealing(Silcidation)

리포트 > 공학/기술 3페이지

실험: Annealing(Silcidation) 1. 실험 목적 MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Metal deposition 을 실시한 후 실리콘 기판 위에 규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과..

반도체 공학 - 반도체 제조 공정 단계

리포트 > 공학/기술 11페이지

반도체 공학 - 반도체 제조 공정 단계 목 차 1. 단결정 성장 2. 규소봉 절단 3. Wafer 표면 연마 4. 회로 설계 5. Mask 제작 6. 산화공정 7. 감광액 도포 8. 노광공정 9. 현상공정 10. 식각공정 11. 이온주입공..

반도체공정 실험 - Photo Lithography

리포트 > 공학/기술 3페이지

실험: Photo Lithography 1. 실험 목적 MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Wafer cleaning Oxidation 공정을 실시한 후 Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 Photo lithography 를 실시하며 FE-SEM을 이용하여 ..

반도체공학 실험 - Metal Deposition

리포트 > 공학/기술 4페이지

실험 4 : Metal Deposition 1. 실험 목적 MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Dry etching 을 실시한 후 Si기판 위에 금속을 증착시키는 공정인 Metal deposition 을 실시하여 기판의 면저항을 측정한다. 증착시..

실험보고서 - 광학현미경의 조직 검사 및 시편 준비

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광학현미경의 조직 검사 및 시편 준비 이론적배경: ①에칭 화학약품을 사용하여 금속, 세라믹스, 반도체 등의 표면을 부식시키는 것. 부식이라고도 한다. 표면 연마와 반도체의 정밀가공, 인쇄제판 공정 등에서 재..

반도체 공통 용어집

리포트 > 공학/기술 12페이지

반도체 산업에서 많이 사용하는 용어를 모은 자료입니다 본문내용 본 자료는 표로 작성되고 일부는 그림이 있으나 자료설명(본문)에는 삽입 할수가 없었습니다. 이해 하시길... 특성검사 조립 진행 중인 반제품의..

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반도체공정 실험 - Dry etching

리포트 > 공학/기술 7페이지

실험: Dry etching 1. 실험 목적 MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Photolithography 공정을 실시한 후 Si기판을 플라즈마를 이용하여 식각하는 공정인 Dry etching 을 실시하며 FE-SEM을 이용하여 SiO2 inspe..

[전자재료실험] MOS Capacitor

리포트 > 공학/기술 19페이지

- 목차 - 1. 실험 목적 ··· p. 2 2. 실험 배경 ··· p. 2 3. 실험 이론 ··· p. 2 ① Si의 특성 ··· p. 2 ② MOS Capacitor ··· p. 3 ③ E-Beam의 구조와 증착원리 ··· p. 8 4. 실험 방법 ··· p. 9 5. 결과 예측 ··· p..

포토리소그래피 실험

리포트 > 공학/기술 5페이지

1. 포토리소그래피(Photolithography) ⅰ) 포토리소그래피(Photolithography)란 Photolithography 공정은 어떤 특정한 화학약품(Photo resist)이 빛을 받으면 화학반응을 일으켜서 성질이 변하는 월리를 이용하여,..

계면과학 실험 - 기판의 roughness와 표면처리에 따라서 접촉각이 어떻게 변하는지 관찰하고 이를 바탕으로 부착일과 Critical Surface Tension을 구하기

리포트 > 공학/기술 6페이지

Contact Angle Ⅰ. 실험 결과 및 분석 ① Roughness 에 따른 접촉각 측정 (Water 사용) 기본(Si-wafer) 800 400 80 ※ 숫자가 작을수록 Roughness가 커짐 구 분 Roughness contact angle Average contact angle..