반도체공정 실험 - Cleaning Oxidation
반도체공정 실험 - Cleaning Oxidation
실험 1 : Cleaning Oxidation
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 Wafer cleaning Oxidation 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께 변화에 어떤 영향을 주는지 확인하여본다.
2. 실험 방법
가. 실험 변수
Wafer
Oxidation temperature
Oxidation time
Si (100)
p-type, 1~10 cm
1000℃
2 hours
4 hours
6 hours
나. 실험 준비물
BOE, DI water, Tweezer, Teflon beakers, Safety gadgets, Tube furnace, ellipsometer,
Si(100) wafer:p-type 시료
다. 실험 과정
1) BOE(Buffered Oxide Etchants) 용액을 이용하여 기존에 존재하는 Oxide층과 Wafer의
표면 유기물, 이온, 금속 물질을 화학적으로 제거한다.( :계면활성제)
- Wafer를 BOE 용액(NH4F:H2O:계면활성제)에 30분 동안 담근다.
2) QDR (Quick Drain Rinse)
- DI 용액을 이용하여 헹군다.
3) Spin Dryer
- 30분 동안 700rpm 속도로 회전시켜 Wafer 표면의 물기를 완전히 제거한다.
4) 세정 용액의 웨이퍼 표면 부착 상태 확인
- 물방울을 떨어뜨려 표면과의 각도를 측정한 후 BOE cleaning전에 측정한 각도와
비교한다. 이 때 세정되는 표면의 특성이 친수성(hydrophilic)인가 소수성(hydrophobic)인가에
따라서 용제의 선택과 첨가물의 선택이 달라져야 한다.
5) Wet oxidation
- Vertical Tube Furnace를 이용하여 Wet oxidation을 실시한다.
Oxidation은 1000도에서 진행되며 2시간, 4시간, 6시간 세 번 진행된다.
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1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 Wafer cleaning Oxidation 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께 변화에 어떤 영향을 주는지 확인하여본다.
2. 실험 방법
가. 실험 변수
Wafer
Oxidation temperature
Oxidation time
Si (100)
p-type, 1~10 cm
1000℃
2 hours
4 hours
6 hours
나. 실험 준비물
BOE, DI water, Tweezer, Teflon beakers, Safety gadgets, Tube furnace, ellipsometer,
Si(100) wafer:p-type 시료
다. 실험 과정
1) BOE(Buffered Oxide Etchants) 용액을 이용하여 기존에 존재하는 Oxide층과 Wafer의
표면 유기물, 이온, 금속 물질을 화학적으로 제거한다.( :계면활성제)
- Wafer를 BOE 용액(NH4F:H2O:계면활성제)에 30분 동안 담근다.
2) QDR (Quick Drain Rinse)
- DI 용액을 이용하여 헹군다.
3) Spin Dryer
- 30분 동안 700rpm 속도로 회전시켜 Wafer 표면의 물기를 완전히 제거한다.
4) 세정 용액의 웨이퍼 표면 부착 상태 확인
- 물방울을 떨어뜨려 표면과의 각도를 측정한 후 BOE cleaning전에 측정한 각도와
비교한다. 이 때 세정되는 표면의 특성이 친수성(hydrophilic)인가 소수성(hydrophobic)인가에
따라서 용제의 선택과 첨가물의 선택이 달라져야 한다.
5) Wet oxidation
- Vertical Tube Furnace를 이용하여 Wet oxidation을 실시한다.
Oxidation은 1000도에서 진행되며 2시간, 4시간, 6시간 세 번 진행된다.
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