Photolithography를 이용한 pattern형성
Photolithography를 이용한 pattern형성
1.실험제목 : Photolithography를 이용한 pattern형성
2.실험목적 : Photolithography에 사용하는 각 공정의 원리와 공정시 주의점을 알 수 있다.
3.실험기구, 장비, 재료 :
-Cr 증착된 기판
-Developer, Stripper, Cr etchant
4.Photolithography 공정 순서
Cleaning -] PR coating -] Soft Baking -] Mask align Exposure -] Develop -] Hard baking -] Cr etching -] Strip
5.실험방법 :
①Cr이 증착된 기판 Cleaning을 한다.(Isopropyl alcohol에 약 10분 가량 Ultra sonic처리 -]DI water -]gas로 drying)
②Spin coater위에 기판을 올리고 진공 잡은 후 PR을 뿌리고 코팅을 한다.(500rpm : 10초, 3000rpm : 30초, 1000rpm :10초)
③PR을 굳히기 위해 Soft baking(110℃) 15분 정도 건조
④스스로 그린 Pattern을 기판위에 올려놓고 UV lignt를 노광(2.5초)
⑤PR을 제거하기 위해 Developer에 기판을 담그고, DI water로 세척
⑥세척후 Hard baking(130℃)에서 약 10분 정도 건조
⑦Cr etchant에 dipping하여 경과를 보면서 Cr을 제거
⑧제거 후 Pattern이 된 부분의 PR을 제거하기위해 Stripper에 dipping하여 제거
6.실험 결과 및 고찰
-PR의 종류에 따라 형성되는 모양을 생각해 보자
광원의 단파장화에 따른 광원의 개발과 더불어, 그에 상응하는 레지스트의 개발은 중요하다. 광원의 단파장화는 레지스트의 고감도화를 요구한다.
용해도 변화
Positive형, Negative형
반응 형태
극성변화형, 해중합형, 가교형, 중합형
구성 성분수
1성분, 2성분, 3성분
광원
....
2.실험목적 : Photolithography에 사용하는 각 공정의 원리와 공정시 주의점을 알 수 있다.
3.실험기구, 장비, 재료 :
-Cr 증착된 기판
-Developer, Stripper, Cr etchant
4.Photolithography 공정 순서
Cleaning -] PR coating -] Soft Baking -] Mask align Exposure -] Develop -] Hard baking -] Cr etching -] Strip
5.실험방법 :
①Cr이 증착된 기판 Cleaning을 한다.(Isopropyl alcohol에 약 10분 가량 Ultra sonic처리 -]DI water -]gas로 drying)
②Spin coater위에 기판을 올리고 진공 잡은 후 PR을 뿌리고 코팅을 한다.(500rpm : 10초, 3000rpm : 30초, 1000rpm :10초)
③PR을 굳히기 위해 Soft baking(110℃) 15분 정도 건조
④스스로 그린 Pattern을 기판위에 올려놓고 UV lignt를 노광(2.5초)
⑤PR을 제거하기 위해 Developer에 기판을 담그고, DI water로 세척
⑥세척후 Hard baking(130℃)에서 약 10분 정도 건조
⑦Cr etchant에 dipping하여 경과를 보면서 Cr을 제거
⑧제거 후 Pattern이 된 부분의 PR을 제거하기위해 Stripper에 dipping하여 제거
6.실험 결과 및 고찰
-PR의 종류에 따라 형성되는 모양을 생각해 보자
광원의 단파장화에 따른 광원의 개발과 더불어, 그에 상응하는 레지스트의 개발은 중요하다. 광원의 단파장화는 레지스트의 고감도화를 요구한다.
용해도 변화
Positive형, Negative형
반응 형태
극성변화형, 해중합형, 가교형, 중합형
구성 성분수
1성분, 2성분, 3성분
광원
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