반도체공정 실험 - Dry etching
반도체공정 실험 - Dry etching
실험: Dry etching
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Photolithography 공정을 실시한 후 Si기판을
플라즈마를 이용하여 식각하는 공정인 Dry etching 을 실시하며 FE-SEM을 이용하여
SiO2 inspection을 측정한다. 이번 실험에서 전원의 세기를 300와트로 에칭 시간을
3min, 5min, 7min으로 변화를 주어 에칭 시간을 조정함에 따라 제품의 SiO2 inspection이
어떤 영향을 받는지 확인하고자 한다.
2. 실험 방법
가. 실험 변수
전원의 세기
식각 시간
나머지 변인
300 W
3 min
모두 동일
5 min
7 min
나. 실험 준비물
Dry etcher, FE-SEM, ICP, Si wafer 시료
다. 실험 과정
1) Cleaning, Oxidation, Photolithography 공정을 마친 wafer 시료를 준비한다.
2) 시료의 표면을 FESEM으로 찍은 후 표면의 감광제 모형인 마스크 패턴을 확인한다.
(식각 전 패턴 사이즈 측정)
3) ICP 장비의 반응 Chamber에 시료를 넣는다.
4) Chamber를 대기압 보다 낮은 진공(10 Torr 이하)으로 만든다.
5) Chamber에 Oxygen gas를 주입한다.
6) Chamber에 Plasma gas로 C F gas(화학적 반응 야기)와
Ar gas(물리적 반응 야기)를 주입한다.
7) 전원장치를 이용하여 300W의 전원을 공급한다.
8) 3가지 시료에 각각 3분, 5분, 7분 씩 에칭하는 과정을 반복한다.
9) FE-SEM을 이용하여 시료들의 SiO2 inspection을 측정하고 식각 전과 비교한다.
(식각 후 패턴 사이즈 측정)
3. 결과 및 고찰
....
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Photolithography 공정을 실시한 후 Si기판을
플라즈마를 이용하여 식각하는 공정인 Dry etching 을 실시하며 FE-SEM을 이용하여
SiO2 inspection을 측정한다. 이번 실험에서 전원의 세기를 300와트로 에칭 시간을
3min, 5min, 7min으로 변화를 주어 에칭 시간을 조정함에 따라 제품의 SiO2 inspection이
어떤 영향을 받는지 확인하고자 한다.
2. 실험 방법
가. 실험 변수
전원의 세기
식각 시간
나머지 변인
300 W
3 min
모두 동일
5 min
7 min
나. 실험 준비물
Dry etcher, FE-SEM, ICP, Si wafer 시료
다. 실험 과정
1) Cleaning, Oxidation, Photolithography 공정을 마친 wafer 시료를 준비한다.
2) 시료의 표면을 FESEM으로 찍은 후 표면의 감광제 모형인 마스크 패턴을 확인한다.
(식각 전 패턴 사이즈 측정)
3) ICP 장비의 반응 Chamber에 시료를 넣는다.
4) Chamber를 대기압 보다 낮은 진공(10 Torr 이하)으로 만든다.
5) Chamber에 Oxygen gas를 주입한다.
6) Chamber에 Plasma gas로 C F gas(화학적 반응 야기)와
Ar gas(물리적 반응 야기)를 주입한다.
7) 전원장치를 이용하여 300W의 전원을 공급한다.
8) 3가지 시료에 각각 3분, 5분, 7분 씩 에칭하는 과정을 반복한다.
9) FE-SEM을 이용하여 시료들의 SiO2 inspection을 측정하고 식각 전과 비교한다.
(식각 후 패턴 사이즈 측정)
3. 결과 및 고찰
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