TFT-LCD 공정의 작업환경

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TFT-LCD 공정의 작업환경
Hazard of TFT-LCDManufacturing Process
2004. 4. 26
한 승 용
Contents
TFT-LCD(Thin Film Transistor LCD)
LC(Liquid Crystal)
Manufacturing Process
TFT Process
Cell Process
Module Process
Hazards
MSDS NFPA 704 M Code
TFT-LCD
구성
TFT가 형성되어 있는 아래 유리기판
Color Filter가 형성되어 있는 윗 유리기판
TFT 와 Color Filter 사이에 주입된 액정(LC)으로 구성

원리
TFT는 전기적 신호를 전달, 제어
액정은 전압에 따라 분자구조를 달리하여 빛의 투과를 제어
제어된 빛은 Color Filter를 통과하면서 원하는 색과 영상으로 표현
TFT-LCD
LC(Liquid Crystal)
액정
액체와 고체의 중간상태에 있는 물질
막대모양의 구조
굴절율, 유전율, 전도율, 점성율 등의 물성값이
분자 장축의 평행 방향과 수직 방향에 따라 다름.
Manufacturing Process
Process chart
Process chart
TFT Process
TFT Process
Deposition Step : 증착 공정
Photolithography Step : 현상 공정
Etching Step : 식각 공정
박막 트랜지스터를 배열하여 제작하는 공정
Wafer 대신에 유리를 사용
300 ~ 500℃의 공정온도를 유지
TFT Process
Deposition Step : PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)
증착에 필요한 gas를 주입하여 Plasma 상태로
분해하여 기판위에 증착하는 공정

증착되는 물질은 절연막과 반도체막으로 나눠지며
절연막 - 게이트 절연막, 보호막, etch stopper막
반도체막
활성 층을 이루는 비정질 실리콘(a-Si:H)
접촉 저항층을 이루는 비정질 실리콘막(n+ a-Si:H)
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