[실험레포트] TFT 공정
[실험레포트] TFT 공정
목차
서론
본론
결론
실험목적
실험 이론
Auto CAD
Photolithography Process
Cell Process
실험결과 및 고찰
서론
▶ 실험 목적
Auto CAD 프로그램으로 자신이 직접 디자인한 Mask를 그려본다.
장비를 이용하여 포통공정과 셀공정에 대해 배우고, 직접 장비를 사용하여 익혀본다.
▶ 실험 이론
우리가 실험에서 쓰인 TN N/W mode에 대해서 간단히 설명하였다.
▸ Cell 구조
▸ TN LCD 동작 원리
초기 분자 배향
배향 상태 변화
광투과율 변화
표시 소자 응용
외력 (전기장)
▸ TN mode의 장점 : 높은 개구율 및 투과율, 양산 잡음에 둔감
▸ TN mode의 단점 : 잔류 retardation이 존재, 느린 응답속도
본론
▶ Auto CAD
▸ 기본 사용
Mirror(대칭) : 대칭축을 따라 mask를 대칭 시켜준다.
Trim(자르기) : 겹쳐있는 선들에서 원하는 곳 을 자를 수 있다.
explode(분해) : 합쳐져 있는 객체를 분해 시켜준다.
pedit 명령 : 객체들을 하나로 연결시켜준다.
line : 선을 그려주는 명령어
▸ Mask 디자인
→ 상판에는 한 개의 공통전극으로 패턴이 모두 연결되어 있으며, 하판에는 8개의 각 전극에 각 패턴에 연결되어 있다.
▶ Photolithography Process
▸Positive PR : 빛에 노출되었던 부분이 현상과정을 거치면서 제거
Negative PR : 빛에 노출되지 않았던 부분이 현상과정을 거치면서 제거
→ 우리가 실험에 사용한 PR용액은 Positive PR이다.
공정
내용
기판 cutting
✓ITO가 증착된 유리 기판을 100 by 100의 크기로 자른다.
....
서론
본론
결론
실험목적
실험 이론
Auto CAD
Photolithography Process
Cell Process
실험결과 및 고찰
서론
▶ 실험 목적
Auto CAD 프로그램으로 자신이 직접 디자인한 Mask를 그려본다.
장비를 이용하여 포통공정과 셀공정에 대해 배우고, 직접 장비를 사용하여 익혀본다.
▶ 실험 이론
우리가 실험에서 쓰인 TN N/W mode에 대해서 간단히 설명하였다.
▸ Cell 구조
▸ TN LCD 동작 원리
초기 분자 배향
배향 상태 변화
광투과율 변화
표시 소자 응용
외력 (전기장)
▸ TN mode의 장점 : 높은 개구율 및 투과율, 양산 잡음에 둔감
▸ TN mode의 단점 : 잔류 retardation이 존재, 느린 응답속도
본론
▶ Auto CAD
▸ 기본 사용
Mirror(대칭) : 대칭축을 따라 mask를 대칭 시켜준다.
Trim(자르기) : 겹쳐있는 선들에서 원하는 곳 을 자를 수 있다.
explode(분해) : 합쳐져 있는 객체를 분해 시켜준다.
pedit 명령 : 객체들을 하나로 연결시켜준다.
line : 선을 그려주는 명령어
▸ Mask 디자인
→ 상판에는 한 개의 공통전극으로 패턴이 모두 연결되어 있으며, 하판에는 8개의 각 전극에 각 패턴에 연결되어 있다.
▶ Photolithography Process
▸Positive PR : 빛에 노출되었던 부분이 현상과정을 거치면서 제거
Negative PR : 빛에 노출되지 않았던 부분이 현상과정을 거치면서 제거
→ 우리가 실험에 사용한 PR용액은 Positive PR이다.
공정
내용
기판 cutting
✓ITO가 증착된 유리 기판을 100 by 100의 크기로 자른다.
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