목적 : 반도체 소자 제조 공정 중 하나로 고온에서 산소나 수증기를 주입시키고 열을 가해 실리콘 웨이퍼 표면에 얇고 균일한 실리콘 산화막을 형성 시키는 공정이다. 실리콘 산화막은 실리콘 표면에 원하지 않는 오염을 방지하는 역할 뿐 아니라 반도체소자에 서 매우 우수한 절연체로 전류와 도핑물질의 이동을 막는데 사용되는 물질로 고품질 의 SiO₂박막을 성장시키는 산화기술은 반도체 공정에서 매우 중요하다.
이론 : 딜-그로브의 열 산화 모델 (Deal-Grove Model of Oxidation)
Si기판을 고온(1000℃ 전후)하에서 산소 등의 산화성 가스에 노출시키면, Si표면이 산화되어 SiO2 막이 형성된다. SiO2 막의 질과 두께를 제어하기 위해서는 산화기구를 알아야한다.
산소분자(O2)등의 산화 종이 우선 SiO2막 표면에 흡착한 후, SiO2막 중을 확산에의해 통과하여 Si 와 SiO2의 계면에 도달하면 그곳에서 Si와반응(산화)하여 SiO2 가 형성된다. 다시 말해 SiO2 내에서의 실리콘 확산도는 O2 의 확산도보다 매우 작다. 따라서 화학반응은 Si-SiO2의 경계면에서 일어난다. 이는 중요한 효과로 열 산화에 의해서 형성되는 경계면은 대기 중에 노출되지 않는다. 따라서 불순물에 대해 비교적 자유롭다.
Si의 산화를 고온에서 하는 이유는 상온에서는 Si 및 산소분자 모두 자연 산화층을 통해 확산할 수 있을 만큼 활동적이지 못하기 때문이다. 따라서 곧 반응은 멈추게 되고 이때 산화층의 두께는 25Å을 넘지 못한다.
-Atomic Force Microscopy (AFM)
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산화공정 실험보고서 산화공정
1. 실험목적
실리콘 IC 웨이퍼 제조의 기초는 웨이퍼 표면에 산화층을 열적으로 성장시키는 능력이다. 실리콘 기판 속으로 불순물을 확산시켜서 산화층을 열적으로 성장시키고 식각시키고 패턴화되는 ..
신소재기초실험 신소재기초실험
Report
1. 추출장치의 예
2. 실험15의 실험원리
1.일상생활에서 사용되는 추출장치
원심분리기
실험용 원심분리기
일반적으로 학교나 산업체의 실험실에서 사용되는 물질을 추출, 정제, 농축..
신소재 화학이란 1. 신소재를 정의하고 응용분야에 대하여 설명하여라.
신소재란
신소재는 기존의 원료나 새로운 원료를 기초로 고도의 제조 및 가공기술과 상품화 기술을 구사하여 기존의 특성과 용도를 크게 향상시키거나, 종래..
신소재 (1)신소재 공학 : 신소재 공학은 산업발전에 없어서는 안 될 중요한 분야로서, 물질의 구조의 특성을 이해하고 이를 바탕으로 새로운 재료를 개발, 응용하는데 필요한 학문이다.
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금속 등 재료의 비교 경도를 결정하는 시험. 경도 시험기를 사용하여, 시험편 또는 제품의 표면에 일정한 하중으로 일정 모양의 경질 압자를 압입..
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* 1970년대 이래, 상호 관련되어 있으면서도 독립적인 과학기술 진보의 3개의 흐름이 하나의 과정으로 합류하고 있는데;
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2025 포항산업과학연구원 금속소재 주조-분석-평가-기술 자기소개서 저는 이러한 연구환경에서 금속 소재의 주조 및 미세조직 분석, 기계적 성질평가 연구를 수행하며, 산업적으로 활용될 수 있는 신소재 개발 및 공정 최적화 연구에 기여하고 싶습니다.
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