반도체공정 실험 - Photo Lithography
반도체공정 실험 - Photo Lithography
실험: Photo Lithography
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Wafer cleaning Oxidation 공정을 실시한 후
Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 Photo lithography 를 실시하며 FE-SEM을 이용하여
PR inspection을 측정한다. 이번 실험에서 PR두께는 1~2micro meter로, Developing time은
90sec로 고정하며 Exposure time을 2, 5 10sec로 변화를 주어 노광 시간을 조정함에 따라
PR공정 결과에 어떤 영향을 주는지 확인하고자 한다.
2. 실험 방법
가. 실험 변수
PR 두께
Developing time
Exposure time
1~2 micri meter
90 sec
2 sec
5 sec
10 sec
나. 실험 준비물
PR coater, Hot plate, PR developer, Stripping chemical, FE-SEM, 광학현미경,
Si wafer 시료
다. 실험 과정
1) Cleaning 과정을 마친 시료( /Si(001))를 200℃에서 10여 분간 dehydration 시킨다.
2) 시료를 HMDS라는 접착력을 증진시키는 물질을 사용하여 증기에 10여 분간
노출시킨다.
3) 시료 위에 감광제를 뿌린 후 고속 회전하여 원하는 두께로 코팅한다.
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1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Wafer cleaning Oxidation 공정을 실시한 후
Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 Photo lithography 를 실시하며 FE-SEM을 이용하여
PR inspection을 측정한다. 이번 실험에서 PR두께는 1~2micro meter로, Developing time은
90sec로 고정하며 Exposure time을 2, 5 10sec로 변화를 주어 노광 시간을 조정함에 따라
PR공정 결과에 어떤 영향을 주는지 확인하고자 한다.
2. 실험 방법
가. 실험 변수
PR 두께
Developing time
Exposure time
1~2 micri meter
90 sec
2 sec
5 sec
10 sec
나. 실험 준비물
PR coater, Hot plate, PR developer, Stripping chemical, FE-SEM, 광학현미경,
Si wafer 시료
다. 실험 과정
1) Cleaning 과정을 마친 시료( /Si(001))를 200℃에서 10여 분간 dehydration 시킨다.
2) 시료를 HMDS라는 접착력을 증진시키는 물질을 사용하여 증기에 10여 분간
노출시킨다.
3) 시료 위에 감광제를 뿌린 후 고속 회전하여 원하는 두께로 코팅한다.
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