Particles- 먼지, 꽃가루, clothing particles, 박테리아 등. 보통의 공간(1큐빅 피트 안에)에는0.5 micron 이상 크기의 입자 10 6 개 이상 있다. 20 micron 이상의 지름을 갖는 입자의 경우 쉽게 가라 앉으므로 주로 문제가 되는 입자는 0.1 to 20 micron 의 지름을 갖는 입자이다.
Inorganic contaminants - 염, 용액의 이온, 무거운 metal 원자. recirculation systems이나 특별한 용액에 의해 제거된다.
Organic contaminants - smog, skin oil, fluxes, lubricants, solvent vapors, monomers from plastic tubing and storage boxes that can condense on substrate. strong oxidizers, gaseous or liquid을 이용하여 제거된다.
Impurities- incorporated during the formation of substrates or over layer films. 보통 제거되지 않는다.
2. Wet cleaning
: Conversion of contaminant into a soluble compound or its washing off force by the force altering its adhesion to the surface
반도체 공통 용어집 반도체 산업에서 많이 사용하는 용어를 모은 자료입니다
본문내용
본 자료는 표로 작성되고 일부는 그림이 있으나 자료설명(본문)에는 삽입 할수가 없었습니다. 이해 하시길...
특성검사 조립 진행 중인 반제품의..
반도체공정 실험 - Cleaning Oxidation 실험 1 : Cleaning Oxidation
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 Wafer cleaning Oxidation 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide ..
반도체 공학 - 반도체 제조 공정 단계 반도체 공학 - 반도체 제조 공정 단계
목 차
1. 단결정 성장
2. 규소봉 절단
3. Wafer 표면 연마
4. 회로 설계
5. Mask 제작
6. 산화공정
7. 감광액 도포
8. 노광공정
9. 현상공정
10. 식각공정
11. 이온주입공..
반도체 소자 제조용 재료 - 실리콘 웨이퍼 조사 실리콘 웨이퍼의 개요
오늘날 반도체 소자 제조용 재료로서 광범위하게 사용되고 있는 실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer)는 다결정의 실리콘(Si)을 원재료로 하여 만들어진 단결정 실리콘 박판을 말합니다.
실리콘은 ..
반도체공정 실험 - Photo Lithography 실험: Photo Lithography
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Wafer cleaning Oxidation 공정을 실시한 후
Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 Photo lithography 를 실시하며 FE-SEM을 이용하여
..
물리전자-우리나라의 반도체 현실 1. 한국 반도체의 역사
우리나라 반도체 산업의 최초 시작은 1965년 ~ 1970년대에 외국의 자본에 의한 조립 생산단계로부터 시작하여 1983년 ~ 1990년대 국내 기업들에 의한 조립 및 개별소자 생산단계로 발전하..
전자공학 - 반도체 공정에 대해서 반도체 공정
(wafer fabrication)
목차
1. 반도체란
2. 반도체의 기본이 되는 트랜지스터, 그 중 대세인 MOSFET
3. 풀노드와 하프노드
4. 공정에서 칩의 크기를 줄이려는 이유
5. 반도체 공정재료와 장비
6. 반도..
반도체공정 실험 - Dry etching 실험: Dry etching
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Photolithography 공정을 실시한 후 Si기판을
플라즈마를 이용하여 식각하는 공정인 Dry etching 을 실시하며 FE-SEM을 이용하여
SiO2 inspe..