전자공학 - 반도체 공정에 대해서

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전자공학 - 반도체 공정에 대해서
반도체 공정
(wafer fabrication)

목차
1. 반도체란
2. 반도체의 기본이 되는 트랜지스터, 그 중 대세인 MOSFET
3. 풀노드와 하프노드
4. 공정에서 칩의 크기를 줄이려는 이유
5. 반도체 공정재료와 장비
6. 반도체 관련 용어
7. 반도체 공정 요약
8. 구체적인 반도체공정

1. 반도체란
전기전도도에 따라 물질을 분류하면 크게 도체, 반도체, 부도체로 나뉜다. 반도체는 순수한 상태에서 부도체와 비슷한 특성을 보이지만 불순물의 첨가에 의해 전기전도도가 늘어나기도 하고 빛이나 열에너지에 의해 일시적으로 전기전도성을 갖기도 한다.

주기율표상에 14족에 위치하는 저머늄(Ge), 실리콘(Si) 등이 대표적인 반도체이다. 초창기에는 저머늄이 주로 사용되었지만 현재는 실리콘에 13족의 붕소(B)나 15족의 인(P)등을 첨가하여 사용한다. 최근에는 13족과 15족의 화합물반도체가 쓰이기도 하며 갈륨비소(GaAs;gallium arsenide) 나 인듐인(InP;indium phospide) 등이 있다.

순수한 반도체는 14족 원소로 이루어져 모든 전자가 공유결합을 이룬다. 여기에 15족 원소를 첨가하면 잉여전자가 발생하여 n형 반도체가 되며 13족 원소를 첨가하면 반대로 전자가 부족하게 되어 정공으로 이루어진 p형 반도체가 된다. n형 반도체와 p형 반도체를 붙여놓으면 p형 반도체에서 n형 반도체 방향으로는 전류가 잘 흐르며 반대방향으로는 거의 흐르지 않는 정류작용이 일어난다. 이러한 소자를 다이오드(diode)라고 하며 이것이 반도체 소자의 기본이 된다.

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