Particles- 먼지, 꽃가루, clothing particles, 박테리아 등. 보통의 공간(1큐빅 피트 안에)에는0.5 micron 이상 크기의 입자 10 6 개 이상 있다. 20 micron 이상의 지름을 갖는 입자의 경우 쉽게 가라 앉으므로 주로 문제가 되는 입자는 0.1 to 20 micron 의 지름을 갖는 입자이다.
Inorganic contaminants - 염, 용액의 이온, 무거운 metal 원자. recirculation systems이나 특별한 용액에 의해 제거된다.
Organic contaminants - smog, skin oil, fluxes, lubricants, solvent vapors, monomers from plastic tubing and storage boxes that can condense on substrate. strong oxidizers, gaseous or liquid을 이용하여 제거된다.
Impurities- incorporated during the formation of substrates or over layer films. 보통 제거되지 않는다.
2. Wet cleaning
: Conversion of contaminant into a soluble compound or its washing off force by the force altering its adhesion to the surface
반도체 공통 용어집 반도체 산업에서 많이 사용하는 용어를 모은 자료입니다
본문내용
본 자료는 표로 작성되고 일부는 그림이 있으나 자료설명(본문)에는 삽입 할수가 없었습니다. 이해 하시길...
특성검사 조립 진행 중인 반제품의..
반도체공정 실험 - Cleaning Oxidation 실험 1 : Cleaning Oxidation
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 Wafer cleaning Oxidation 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide ..
반도체 공학 - 반도체 제조 공정 단계 반도체 공학 - 반도체 제조 공정 단계
목 차
1. 단결정 성장
2. 규소봉 절단
3. Wafer 표면 연마
4. 회로 설계
5. Mask 제작
6. 산화공정
7. 감광액 도포
8. 노광공정
9. 현상공정
10. 식각공정
11. 이온주입공..
반도체공정 실험 - Photo Lithography 실험: Photo Lithography
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Wafer cleaning Oxidation 공정을 실시한 후
Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 Photo lithography 를 실시하며 FE-SEM을 이용하여
..
반도체 소자 제조용 재료 - 실리콘 웨이퍼 조사 실리콘 웨이퍼의 개요
오늘날 반도체 소자 제조용 재료로서 광범위하게 사용되고 있는 실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer)는 다결정의 실리콘(Si)을 원재료로 하여 만들어진 단결정 실리콘 박판을 말합니다.
실리콘은 ..
물리전자-우리나라의 반도체 현실 1. 한국 반도체의 역사
우리나라 반도체 산업의 최초 시작은 1965년 ~ 1970년대에 외국의 자본에 의한 조립 생산단계로부터 시작하여 1983년 ~ 1990년대 국내 기업들에 의한 조립 및 개별소자 생산단계로 발전하..
전자공학 - 반도체 공정에 대해서 반도체 공정
(wafer fabrication)
목차
1. 반도체란
2. 반도체의 기본이 되는 트랜지스터, 그 중 대세인 MOSFET
3. 풀노드와 하프노드
4. 공정에서 칩의 크기를 줄이려는 이유
5. 반도체 공정재료와 장비
6. 반도..
반도체공정 실험 - Dry etching 실험: Dry etching
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Photolithography 공정을 실시한 후 Si기판을
플라즈마를 이용하여 식각하는 공정인 Dry etching 을 실시하며 FE-SEM을 이용하여
SiO2 inspe..