1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Metal deposition 을 실시한 후 실리콘 기판 위에
규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다.
이 때 RTP를 통해 어닐링을 실시한다. 어닐링 시간을 40초로 고정하고 온도를 600℃, 700℃,
800℃로 변화 시켰을 때 실리사이드 층의 면저항을 측정하여 온도에 따라 어떻게 변화하는지
알아본다.
2. 실험 방법
가. 실험 변수
Wafer
Annealing temperature
Annealing time
Ni / Si (100)
600 ℃
40 sec
700 ℃
800 ℃
나. 실험 준비물
RTP, Four point probe, Ni / Si (100) wafer poeces
다. 실험 과정
1) Ni이 증착된 P-type Si wafer를 3개 준비한다.(증착된 두께는 모두 같아야 한다.)
....
[금속재료실험] 금속 냉각법에 따른 조직사진 관찰 실험[냉간가공 및 어닐링] 냉간가공 및 어닐링
냉간가공 및 어닐링
Ⅰ. 실험 목적 및 이론
Ⅱ. 실험 장비
Ⅲ. 실험 방법
Ⅳ. 실험 결과
Ⅴ. 실험 분석
Ⅵ. 참고 문헌
실험 목적 및 이론
● 실험 목적
압연에 의한 냉간 가공을 하고 annealing 열..
반도체공학 실험 - Metal Deposition 실험 4 : Metal Deposition
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Dry etching 을 실시한 후 Si기판 위에 금속을
증착시키는 공정인 Metal deposition 을 실시하여 기판의 면저항을 측정한다. 증착시..
[합격][학업계획서] 한양대학교 일반대학원 반도체공학과 궁극적으로 첨단 반도체 소자의 설계 및 공정기술 혁신에 기여하며, 국가 및 산업경쟁력 강화에 이바지하는 것을 학업목표로 삼고 있습니다.
반도체 소자의 설계와 공정 최적화, 신소재 개발, 차세대 반도체 기술..
[합격][학업계획서] 한양대학교 일반대학원 반도체공학과 궁극적으로 첨단 반도체 소자의 설계 및 공정기술 혁신에 기여하며, 국가 및 산업경쟁력 강화에 이바지하는 것을 학업목표로 삼고 있습니다.
반도체 소자의 설계와 공정 최적화, 신소재 개발, 차세대 반도체 기술..