반도체공학 실험 - Annealing(Silcidation)
반도체공학 실험 - Annealing(Silcidation)
실험: Annealing(Silcidation)
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Metal deposition 을 실시한 후 실리콘 기판 위에
규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다.
이 때 RTP를 통해 어닐링을 실시한다. 어닐링 시간을 40초로 고정하고 온도를 600℃, 700℃,
800℃로 변화 시켰을 때 실리사이드 층의 면저항을 측정하여 온도에 따라 어떻게 변화하는지
알아본다.
2. 실험 방법
가. 실험 변수
Wafer
Annealing temperature
Annealing time
Ni / Si (100)
600 ℃
40 sec
700 ℃
800 ℃
나. 실험 준비물
RTP, Four point probe, Ni / Si (100) wafer poeces
다. 실험 과정
1) Ni이 증착된 P-type Si wafer를 3개 준비한다.(증착된 두께는 모두 같아야 한다.)
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1. 실험 목적
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이 때 RTP를 통해 어닐링을 실시한다. 어닐링 시간을 40초로 고정하고 온도를 600℃, 700℃,
800℃로 변화 시켰을 때 실리사이드 층의 면저항을 측정하여 온도에 따라 어떻게 변화하는지
알아본다.
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(KAIST) 반도체공학대학원 신소재공학과 자기소개서와 면접자료
앞으로 카이스트에서 심도 있는 연구와 학문적 도전을 통해 반도체 산업에 혁신적인 소재와 기술을 기여할 준비를 단단히 해나가고자 합니다. 저의 연구 주제는 '2차원 신소재 기반의 저전력 고성능 반도체 소자 .. -
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[합격][학업계획서] 한양대학교 일반대학원 반도체공학과
궁극적으로 첨단 반도체 소자의 설계 및 공정기술 혁신에 기여하며, 국가 및 산업경쟁력 강화에 이바지하는 것을 학업목표로 삼고 있습니다. 반도체 소자의 설계와 공정 최적화, 신소재 개발, 차세대 반도체 기술.. -
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2025 삼성전자 DS부문 CTO 반도체연구소 반도체공정설계 자기소개서 자소서
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