반도체공학 실험 - Annealing(Silcidation)
반도체공학 실험 - Annealing(Silcidation)
실험: Annealing(Silcidation)
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Metal deposition 을 실시한 후 실리콘 기판 위에
규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다.
이 때 RTP를 통해 어닐링을 실시한다. 어닐링 시간을 40초로 고정하고 온도를 600℃, 700℃,
800℃로 변화 시켰을 때 실리사이드 층의 면저항을 측정하여 온도에 따라 어떻게 변화하는지
알아본다.
2. 실험 방법
가. 실험 변수
Wafer
Annealing temperature
Annealing time
Ni / Si (100)
600 ℃
40 sec
700 ℃
800 ℃
나. 실험 준비물
RTP, Four point probe, Ni / Si (100) wafer poeces
다. 실험 과정
1) Ni이 증착된 P-type Si wafer를 3개 준비한다.(증착된 두께는 모두 같아야 한다.)
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1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Metal deposition 을 실시한 후 실리콘 기판 위에
규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다.
이 때 RTP를 통해 어닐링을 실시한다. 어닐링 시간을 40초로 고정하고 온도를 600℃, 700℃,
800℃로 변화 시켰을 때 실리사이드 층의 면저항을 측정하여 온도에 따라 어떻게 변화하는지
알아본다.
2. 실험 방법
가. 실험 변수
Wafer
Annealing temperature
Annealing time
Ni / Si (100)
600 ℃
40 sec
700 ℃
800 ℃
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