MOS집적회로(일관공정)의 분기별 시장동향비지니스 > 경제동향 3페이지 
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비지니스 > 경제동향 4페이지
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CMOS setup의 모든것정보/기술 > 메뉴얼 24페이지 
CMOS 구체적인 설명이랍니다^^
□ 어워드 바이오스의 CMOS 셋업 □
가끔 이런 분들을 보게 됩니다. 용어 하나 하나를 너무 깊게 파고들어서
나무만 바라보려 하다가 숲을 보지 못하는 분. 제가 CMOS란
Comple..
TFT-LCD란?리포트 > 공학/기술 13페이지 
TFT-LCD의 정의 및 기술 동향에 대하여 알수 있는 참고 자료 입니다.
TFT-LCD 개요
Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display의 약어
TFT(Thin Film Transister)란 전계효과 트랜지스터(FET:Field Effect Tra..
비지니스 > 경제동향 8페이지
본 컨텐츠는 시장조사, 수요예측 전문업체인 ㈜밸류애드에서 무기안료 및 기타 금속산화물에 대한 시장동향 정보입니다.
작성일자를 반드시 확인하시고, 최근에 작성된 정보를 구매하시기 바랍니다.
본 컨텐..
비지니스 > 기업분석 13페이지 
본 기업분석은 시장조사, 수요예측 전문기관인 ㈜밸류애드에서 제작된 자료로 <2004 기업분석 견본>이 무료로 제공되고 있으니, 충분히 검토후 구매하시기 바랍니다.[NL][NL]1999년부터 2003년까지 국내 상장기업..
마이크로프로세서의 발전 과정과 컴퓨터 산업에 기여한 점 그리고 최신 동향을 A4용지 2페이지 이내로 자세히 서술하라리포트 > 공학/기술 4페이지 
1. 마이크로프로세서의 발전 과정과 컴퓨터 산업에 기여한 점 그리고 최신 동향을 A4용지 2페이지 이내로 자세히 서술하라.(15점)
20세기 과학기술이 이룩한 수많은 업적 중에서, 우리와 가장 친근하면서 우리 일..
리포트 > 공학/기술 18페이지 
◉ 실험 날짜:
날 씨 : 맑음
온 도 : 27°
습 도 : 43%
1. 실험 목적
- MOS Capacitor의 제작 방법과 특성을 알아본다.
C-V 등을 측정하여 원리를 이해한다.
2. 관련 지식
관련 parameters : Tox NA, ND, VFB..
리포트 > 공학/기술 11페이지 
FET특성 및 증폭기
1. 관련 이론
전기장 효과 트랜지스터(FET: field effect transistor)
: 단극(單極)트랜지스터 또는 FET라고도 한다. 원리는 반도체의 소스(source)에서 집전극(集電極)의 드레인(drain)에 ..
리포트 > 자연과학 4페이지 
산화공정
1. 실험목적
실리콘 IC 웨이퍼 제조의 기초는 웨이퍼 표면에 산화층을 열적으로 성장시키는 능력이다. 실리콘 기판 속으로 불순물을 확산시켜서 산화층을 열적으로 성장시키고 식각시키고 패턴화되는 ..
리포트 > 공학/기술 30페이지
반도체의 원리 및 응용
생활속의 신소재
반 도 체 (Semiconductor)란
“ 원래는 거의 전기가 통하지 않지만 빛이나 열, 또는 특정 불순물을
가해 주면 전기가 통하고 또한 조절도 할 수 있는 물질
마법의돌..
리포트 > 공학/기술 17페이지
TCO(Transparent Conducting Oxide)
목 차
TCO란 무엇인가
TCO의 종류
TCO 응용분야
CIGS 태양전지용 TCO
CIGS 태양전지의 기본 구조
TCO의 전기적,광학적 특성
TCO 재료의 종류 및 각각의 특징
TCO란 무엇인가
빛..
리포트 > 공학/기술 17페이지
포토리소(Photolithography)
가공방법 및 적용분야에 대해서
2345
2.1 Silicon with Oxide Layer
6
Coater 제조회사
-TEL(83%)
-Dainippon(8%)
-ASML(4%)
KCTEC
Spinless Coater
PR사용량 1/10
2.1 Silicon wit..
리포트 > 공학/기술 16페이지 
1
방사선이 조사된 MOS구조에서의 전기적 특성
2
목차
서론
관계이론
시편의 제작
방사선 조사
5. 실험결과 및 고찰
6. 결론
3
서론
방사선의 발생 과정과 성질
이상적인 MOS 커패시터
제조과정에서 문턱전압에 ..
반도체공정 실험 - Cleaning Oxidation리포트 > 공학/기술 5페이지 
실험 1 : Cleaning Oxidation
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 Wafer cleaning Oxidation 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide ..
