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방사선이 조사된 MOS구조에서의 전기적 특성
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목차
서론
관계이론
시편의 제작
방사선 조사
5. 실험결과 및 고찰
6. 결론
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서론
방사선의 발생 과정과 성질
이상적인 MOS 커패시터
제조과정에서 문턱전압에 영향을 미치는 요인
MOSFET 의 Oxide층에서 방사선 작용
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MOSFET의 구조
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문턱전압에 영향을 미치는 요인
1. 금속반도체의 일함수차이
2. 산화막고정전하
3. 산화막내의 가동이온
4. 계면트랩
5. 방사선이 미치는 영향
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방사선이 조사된 산화층에서 전자정공쌍 생성과정
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시편의 제작
1.MOS 커패시터는 Si 웨이퍼의 표준공정에 의해 제작
2.Oxide층의 두께는 40nm, 60nm, 80nm로
24개 제작
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방사선조사
....
[전자재료실험] MOS Capacitor - 목차 -
1. 실험 목적
···
p. 2
2. 실험 배경
···
p. 2
3. 실험 이론
···
p. 2
① Si의 특성
···
p. 2
② MOS Capacitor
···
p. 3
③ E-Beam의 구조와 증착원리
···
p. 8
4. 실험 방법
···
p. 9
5. 결과 예측
···
p..
외부 양자 효율을 높일 수 있는 방법과 LED 효율 높일 수 있는 방법 1. 외부 양자 효율을 높일 수 있는 방법
1) 수직구조 발광다이오드를 사용한 양자 효율 증가 방법
2) 다공성 알루미나를 사용한 양자 효율 증가 방법
-알루미나를 이용한 OLED의 전기적 광학적 특성을 조사한 ..
방사선 계측 실험 방사선 계측 실험 레포트
1. 실험제목
- GM 계수관의 특성곡선 및 Scintillation detector를 이용한 방사능 계측
2. 이론적배경
- GM계수관은 가장 오래된 방사선 검출기의 하나로, 방사선 종류에 관계 없이 방..
MOS Capacitor의 제작 방법과 특성와 C-V등을 측정 ◉ 실험 날짜:
날 씨 : 맑음
온 도 : 27°
습 도 : 43%
1. 실험 목적
- MOS Capacitor의 제작 방법과 특성을 알아본다.
C-V 등을 측정하여 원리를 이해한다.
2. 관련 지식
관련 parameters : Tox NA, ND, VFB..
전자회로 설계 - MOSFET 차동 증폭기 설계 목 차
1. 설계 주제
2. 설계 목적
3. 설계 내용
4. 차동 증폭기란
5. 이론을 사용한 설계
(1) 설계회로
(2) 설계수식
1) 수식
2) 수식
3) 공통모드 이득계산
4) 차동모드 이득계산
5) CMRR 수식
6) M..
투명전극TCO (Transparent Conducting Oxide) 박막에 관해서 TCO(Transparent Conducting Oxide)
목 차
TCO란 무엇인가
TCO의 종류
TCO 응용분야
CIGS 태양전지용 TCO
CIGS 태양전지의 기본 구조
TCO의 전기적,광학적 특성
TCO 재료의 종류 및 각각의 특징
TCO란 무엇인가
빛..
X-Ray Diffractometer, XRD에 대해서 1. X-Ray Diffractometer, XRD란
- XRD란 X-Ray Diffraction의 약자로서 X-ray를 어떠한 샘플에 투사하면 X선이 산란 및 회절을 하게 되는데 이러한 회절 패턴을 분석하는 것을 말한다. 이를 응용하면 물질의 미세..
[발표과제] 방사능과 피폭선량의 인체에 미치는 영향 방사능과 피폭선량의
인체에 미치는 영향
목차
Ⅲ방사선 피폭
-방사선 피폭
-피폭의 영향
-방사선 누출 사례
Ⅰ원자핵의 붕괴
-동위원소
-원자핵의 붕괴
-방사선의 형태
Ⅱ방사선량
-흡수선량
-선량당량
-실..
원자력 이론 요점 II. 방 사 화 학
제1장 방사성핵종
제1절 핵종의 분류
명 칭
특 징
예
동위체 또는 동위원소
(isotope)
양성자수는 같으나 질량수가 다름.
동중체
(isobar)
질량수는 같으나 양성자수가 다름.
동중성자체
(..
CMOS 와 TTL NAND CMOS 와 TTL NAND/NOT 게이트 정의와 동작
TTL(Transistor Transistor Logic)IC
회로에서는 필요한 기능에 맞게 저항, 코일, 콘덴서 등 개별 부품들을 조합해서 만들어 그 기능을 하나의 패키지 속에 넣은 ..