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방사선이 조사된 MOS구조에서의 전기적 특성
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목차
서론
관계이론
시편의 제작
방사선 조사
5. 실험결과 및 고찰
6. 결론
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서론
방사선의 발생 과정과 성질
이상적인 MOS 커패시터
제조과정에서 문턱전압에 영향을 미치는 요인
MOSFET 의 Oxide층에서 방사선 작용
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MOSFET의 구조
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문턱전압에 영향을 미치는 요인
1. 금속반도체의 일함수차이
2. 산화막고정전하
3. 산화막내의 가동이온
4. 계면트랩
5. 방사선이 미치는 영향
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방사선이 조사된 산화층에서 전자정공쌍 생성과정
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시편의 제작
1.MOS 커패시터는 Si 웨이퍼의 표준공정에 의해 제작
2.Oxide층의 두께는 40nm, 60nm, 80nm로
24개 제작
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방사선조사
....
[전자재료실험] MOS Capacitor - 목차 -
1. 실험 목적
···
p. 2
2. 실험 배경
···
p. 2
3. 실험 이론
···
p. 2
① Si의 특성
···
p. 2
② MOS Capacitor
···
p. 3
③ E-Beam의 구조와 증착원리
···
p. 8
4. 실험 방법
···
p. 9
5. 결과 예측
···
p..
외부 양자 효율을 높일 수 있는 방법과 LED 효율 높일 수 있는 방법 1. 외부 양자 효율을 높일 수 있는 방법
1) 수직구조 발광다이오드를 사용한 양자 효율 증가 방법
2) 다공성 알루미나를 사용한 양자 효율 증가 방법
-알루미나를 이용한 OLED의 전기적 광학적 특성을 조사한 ..
방사선 계측 실험 방사선 계측 실험 레포트
1. 실험제목
- GM 계수관의 특성곡선 및 Scintillation detector를 이용한 방사능 계측
2. 이론적배경
- GM계수관은 가장 오래된 방사선 검출기의 하나로, 방사선 종류에 관계 없이 방..
투명전극TCO (Transparent Conducting Oxide) 박막에 관해서 TCO(Transparent Conducting Oxide)
목 차
TCO란 무엇인가
TCO의 종류
TCO 응용분야
CIGS 태양전지용 TCO
CIGS 태양전지의 기본 구조
TCO의 전기적,광학적 특성
TCO 재료의 종류 및 각각의 특징
TCO란 무엇인가
빛..
MOS Capacitor의 제작 방법과 특성와 C-V등을 측정 ◉ 실험 날짜:
날 씨 : 맑음
온 도 : 27°
습 도 : 43%
1. 실험 목적
- MOS Capacitor의 제작 방법과 특성을 알아본다.
C-V 등을 측정하여 원리를 이해한다.
2. 관련 지식
관련 parameters : Tox NA, ND, VFB..
전자회로 설계 - MOSFET 차동 증폭기 설계 목 차
1. 설계 주제
2. 설계 목적
3. 설계 내용
4. 차동 증폭기란
5. 이론을 사용한 설계
(1) 설계회로
(2) 설계수식
1) 수식
2) 수식
3) 공통모드 이득계산
4) 차동모드 이득계산
5) CMRR 수식
6) M..
X-Ray Diffractometer, XRD에 대해서 1. X-Ray Diffractometer, XRD란
- XRD란 X-Ray Diffraction의 약자로서 X-ray를 어떠한 샘플에 투사하면 X선이 산란 및 회절을 하게 되는데 이러한 회절 패턴을 분석하는 것을 말한다. 이를 응용하면 물질의 미세..
[발표과제] 방사능과 피폭선량의 인체에 미치는 영향 방사능과 피폭선량의
인체에 미치는 영향
목차
Ⅲ방사선 피폭
-방사선 피폭
-피폭의 영향
-방사선 누출 사례
Ⅰ원자핵의 붕괴
-동위원소
-원자핵의 붕괴
-방사선의 형태
Ⅱ방사선량
-흡수선량
-선량당량
-실..
원자력 이론 요점 II. 방 사 화 학
제1장 방사성핵종
제1절 핵종의 분류
명 칭
특 징
예
동위체 또는 동위원소
(isotope)
양성자수는 같으나 질량수가 다름.
동중체
(isobar)
질량수는 같으나 양성자수가 다름.
동중성자체
(..
CMOS 와 TTL NAND CMOS 와 TTL NAND/NOT 게이트 정의와 동작
TTL(Transistor Transistor Logic)IC
회로에서는 필요한 기능에 맞게 저항, 코일, 콘덴서 등 개별 부품들을 조합해서 만들어 그 기능을 하나의 패키지 속에 넣은 ..