화학공학실험 - 진공 상에서의 물질의 증착
화학공학실험 - 진공 상에서의 물질의 증착
화학공학실험 - 진공 상에서의 물질의 증착
Ⅰ 실험목표
진공 상에서의 물질의 증착을 이해하고, 압력에 따라 변화하는 챔버 안의 증발 분자량을 계산한다.
Ⅱ 실험 이론
① 압력 단위 환산
1atm = 101325Pa = 1.01325bar = 760mmHg(torr) = 14.696 psi
② 증착속도(Å/s)
deposition tickness
monitor device
옹스트롬 [angstrom] 으로, 빛의 파장, 원자 사이의 거리를 재는 데 사용하는 길이의 단위이며, 1Å = 0.0000000001m = 1*10^-10 m 를 나타낸다. 나노기술과 같은 분자 또는 원자 수준을 다룰때 자주 쓰이는 단위이다.
진공증착 실험에서는 시료가 증착되는 속도를 나타내며, 초당 아주 미세한 속도로 증착됨을 알 수 있다. deposition tickness monitor device를 이용해서 증착속도를 측정할 수 있다.
③ 시료: aluminum quinoline
줄여서 alq3 이라 불리우며 분자량은 459.44g/mol이다. OLED 제작에 쓰이는 형광물질이다.
Ⅲ 실험 과정
시료 및 장치 준비 과정(모든 세척과정에서는 반드시 일회용 비닐장갑을 낀다.)
1) 기판 준비
① ultrasonic에 기판을 10분간 돌리고 20분간 150℃로 Dry Oven에 말린다.
② heating boat를 2개 준비하여 각각의 질량을 측정한다.
③ 각각의 heating boat에 ALQ3를 담고 질량을 측정한 뒤 chamber내에 고정시킨다.
④ 기판에 증착 유리판을 고정 시킨 후 기판을 고정 하고 chamber를 밀폐 한다.
2) 증착 과정
① 쿨러를 켠다.
② R.P.Leak 밸브 및 3way 벨브, Air Leak, Main 밸브가 잠겼는지 확인한다.
③ 메인 스위치를 켜고 로터리 펌프를 켠다.
④ Pirani gauge를 확인한 후 10-2Pa까지 압력이 떨어지면 Rough way 쪽으로 밸브를 연다.
....
Ⅰ 실험목표
진공 상에서의 물질의 증착을 이해하고, 압력에 따라 변화하는 챔버 안의 증발 분자량을 계산한다.
Ⅱ 실험 이론
① 압력 단위 환산
1atm = 101325Pa = 1.01325bar = 760mmHg(torr) = 14.696 psi
② 증착속도(Å/s)
deposition tickness
monitor device
옹스트롬 [angstrom] 으로, 빛의 파장, 원자 사이의 거리를 재는 데 사용하는 길이의 단위이며, 1Å = 0.0000000001m = 1*10^-10 m 를 나타낸다. 나노기술과 같은 분자 또는 원자 수준을 다룰때 자주 쓰이는 단위이다.
진공증착 실험에서는 시료가 증착되는 속도를 나타내며, 초당 아주 미세한 속도로 증착됨을 알 수 있다. deposition tickness monitor device를 이용해서 증착속도를 측정할 수 있다.
③ 시료: aluminum quinoline
줄여서 alq3 이라 불리우며 분자량은 459.44g/mol이다. OLED 제작에 쓰이는 형광물질이다.
Ⅲ 실험 과정
시료 및 장치 준비 과정(모든 세척과정에서는 반드시 일회용 비닐장갑을 낀다.)
1) 기판 준비
① ultrasonic에 기판을 10분간 돌리고 20분간 150℃로 Dry Oven에 말린다.
② heating boat를 2개 준비하여 각각의 질량을 측정한다.
③ 각각의 heating boat에 ALQ3를 담고 질량을 측정한 뒤 chamber내에 고정시킨다.
④ 기판에 증착 유리판을 고정 시킨 후 기판을 고정 하고 chamber를 밀폐 한다.
2) 증착 과정
① 쿨러를 켠다.
② R.P.Leak 밸브 및 3way 벨브, Air Leak, Main 밸브가 잠겼는지 확인한다.
③ 메인 스위치를 켜고 로터리 펌프를 켠다.
④ Pirani gauge를 확인한 후 10-2Pa까지 압력이 떨어지면 Rough way 쪽으로 밸브를 연다.
....
-
실험 - Vacuum deposition의 이해와 증착속도에 따른 압력 변화측정[예비]
실험 - Vacuum deposition의 이해와 증착속도에 따른 압력 변화측정[예비] 1. 실험 목적 진공 상에서의 물질의 증착을 이해하고, 압력에 따라 변화하는 챔버 안의 증발 분자량을 계산한다. 2. 실험 과정 시료 .. -
열변형이없는표면개질
목 차 1. 제목 : 열변형이 없는 표면개질 2. 서론 표면개질 3. 본론 . PVD . 플라즈마 CVD . 질화 . 쇼트 피닝 4. 결론 전망과 의견 5. 참고문헌 6. 발표시 질문의 보충설명 7. 사본 열변형이 없는 .. -
박막재료의 제작과 평가
박막재료의 제작과 평가 목차 ° 실험 목적 ° 실험 관련 이론 ° 실험 방법 ° 실험 결과 ° 결과에 대한 고찰 1. 실험 목적 ITO에 대한 기본적인 이론을 숙지하고, 직접 제작을 통해 제작 과정과 막 특성 .. -
[신소재공학] Sputtering을 이용한 Ti 증착(요소설계) - 반도체 형성 원리에 대해
Sputtering을 이용한 Ti 증착 목차 실험 목적 실험 이론 실험 방법 결과 및 토의 1. 실험 목적 Working pressure를 변화 시킬 때 두께와 저항의 변화를 그래프를 이용해 분석하여 Working pressure와 두께, 저.. -
증착결과 보고서
1.실험 방법 ① 모든 밸브가 잠겨있는지 확인한다. ②증착시키려는 소스를 철판 위에 작은 시약 스푼으로 한 스푼 올려놓는다. ③ 셔터를 닫은 상태에서 슬라이드를 끼운다. ④ Rotary Pump Switch를 ON으로 한다. ⑤ .. -
[소재공정실험] 박막공학 - PVD 와 CVD에 관해
소재공정실험 구 성 2/16 Thin Film Application Thin Film 부피대비 표면적 비율이 높은 막을 의미하며 ㎚ ~ ㎛ 단위를 지닌다. 막박 Physical Vapor Deposition 진공 중에서 금속을 기화시켜 기판에 증착. vapo.. -
반도체공학 실험 - Metal Deposition
실험 4 : Metal Deposition 1. 실험 목적 MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Dry etching 을 실시한 후 Si기판 위에 금속을 증착시키는 공정인 Metal deposition 을 실시하여 기판의 면저항을 측정한다. 증착시.. -
진공박막 실험
목차 1.서론 -①목적 -②이론 2.기구 및 방법 3.결과값 4.검토 및 토의 5.결론 1.서론 ①목적 진공과 박막을 제작하고 개념을 이해한다. · 진공의 개념을 이해하고 만드는 원리를 이해한다. · 진공 측정 원.. -
화학공학 기초 실험 - 수은 온도계의 보정
화학공학 기초 실험 - 수은 온도계의 보정 1. 목적 온도계 자체가 정확하지 않기 때문에 수은온도계를 검정하고, 측정치를 보정하기 위한 보정곡선을 작성한다. 2. 이론 무게, 부피 측정과 함께 온도 측정도 .. -
화학공학실험 - 벤츄리미터[venturimeter] 실험
Contents Contents ... 2 Figures Tables... 3 Abstract ... 4 1.Introduction ... 5 1.1 실험 이론 ... 5 1.1.1 관내 연속방정식(continuity equation) ... 5 1.1.2. Euler 방정식 ... 6 1.1.3. 베르누이..
