[신소재공학] Sputtering을 이용한 Ti 증착(요소설계) - 반도체 형성 원리에 대해
Sputtering을 이용한 Ti 증착
목차
실험 목적
실험 이론
실험 방법
결과 및 토의
1. 실험 목적
Working pressure를 변화 시킬 때 두께와 저항의 변화를 그래프를 이용해 분석하여 Working pressure와 두께, 저항의 관계를 알아본다.
2. 실험 이론-Sputter의 원리
구슬치기의 원리
스퍼터링 장치의 구성
Vacuum chamber
Target-Ti 특성
원자번호 22번, 원자량 47.88
가볍고, 강하고, 내식성이 크다.
비자성-] 바이오메티칼 부문에 널리 쓰임
좋은 열 전달
높은 용융점 (1725°C)
좋지 않은 전도체→좋은 저항체
Target-Ti 용도
3. 실험 방법-실험 조건
power: 100W
gas: Ar
Flow rate: 15sccm (Standard Cubic Centimeter per minute 부피유속이라기 보다는 molar flow)
SubstrateTemperature: Room Temperature
deposition time: 10min
working pressure: sample1:1mtorr, sample2: 4mtorr, sample3: 7mtorr, sample4: 10mtorr
base pressure:5~7x10-7 torr
Ti는 Si위에 증착
3. 실험 방법
....
(KAIST) 반도체공학대학원 신소재공학과 자기소개서와 면접자료 앞으로 카이스트에서 심도 있는 연구와 학문적 도전을 통해 반도체 산업에 혁신적인 소재와 기술을 기여할 준비를 단단히 해나가고자 합니다.
저의 연구 주제는 '2차원 신소재 기반의 저전력 고성능 반도체 소자 ..
(KAIST) 반도체공학대학원 신소재공학과 자기소개서와 면접자료 앞으로 카이스트에서 심도 있는 연구와 학문적 도전을 통해 반도체 산업에 혁신적인 소재와 기술을 기여할 준비를 단단히 해나가고자 합니다.
저의 연구 주제는 '2차원 신소재 기반의 저전력 고성능 반도체 소자 ..
카이스트(KAIST) 반도체공학대학원 신소재공학과 자기소개서와 면접자료 앞으로 카이스트에서 심도 있는 연구와 학문적 도전을 통해 반도체 산업에 혁신적인 소재와 기술을 기여할 준비를 단단히 해나가고자 합니다.
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