[신소재공학] Sputtering을 이용한 Ti 증착(요소설계) - 반도체 형성 원리에 대해
[신소재공학] Sputtering을 이용한 Ti 증착(요소설계) - 반도체 형성 원리에 대해
Sputtering을 이용한 Ti 증착
목차
실험 목적
실험 이론
실험 방법
결과 및 토의
1. 실험 목적
Working pressure를 변화 시킬 때 두께와 저항의 변화를 그래프를 이용해 분석하여 Working pressure와 두께, 저항의 관계를 알아본다.
2. 실험 이론-Sputter의 원리
구슬치기의 원리
스퍼터링 장치의 구성
Vacuum chamber
Target-Ti 특성
원자번호 22번, 원자량 47.88
가볍고, 강하고, 내식성이 크다.
비자성-] 바이오메티칼 부문에 널리 쓰임
좋은 열 전달
높은 용융점 (1725°C)
좋지 않은 전도체→좋은 저항체
Target-Ti 용도
3. 실험 방법-실험 조건
power: 100W
gas: Ar
Flow rate: 15sccm (Standard Cubic Centimeter per minute 부피유속이라기 보다는 molar flow)
SubstrateTemperature: Room Temperature
deposition time: 10min
working pressure: sample1:1mtorr, sample2: 4mtorr, sample3: 7mtorr, sample4: 10mtorr
base pressure:5~7x10-7 torr
Ti는 Si위에 증착
3. 실험 방법
....
목차
실험 목적
실험 이론
실험 방법
결과 및 토의
1. 실험 목적
Working pressure를 변화 시킬 때 두께와 저항의 변화를 그래프를 이용해 분석하여 Working pressure와 두께, 저항의 관계를 알아본다.
2. 실험 이론-Sputter의 원리
구슬치기의 원리
스퍼터링 장치의 구성
Vacuum chamber
Target-Ti 특성
원자번호 22번, 원자량 47.88
가볍고, 강하고, 내식성이 크다.
비자성-] 바이오메티칼 부문에 널리 쓰임
좋은 열 전달
높은 용융점 (1725°C)
좋지 않은 전도체→좋은 저항체
Target-Ti 용도
3. 실험 방법-실험 조건
power: 100W
gas: Ar
Flow rate: 15sccm (Standard Cubic Centimeter per minute 부피유속이라기 보다는 molar flow)
SubstrateTemperature: Room Temperature
deposition time: 10min
working pressure: sample1:1mtorr, sample2: 4mtorr, sample3: 7mtorr, sample4: 10mtorr
base pressure:5~7x10-7 torr
Ti는 Si위에 증착
3. 실험 방법
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(TI Korea) Field Applications Engineer Intern-Digital 자기소개서
저는 인턴십을 통해 TI의 디지털 반도체 솔루션을 직접 다뤄보고, 고객과의 소통을 기반으로 기술적 문제를 해결하는 경험을 쌓으며, 장기적으로 반도체 애플리케이션 전문가로 성장하고 싶습니다. FAE 직무는 고.. -
[텍사스인스트루먼트코리아 Field Applications Engineer 합격 자기소개서] 자기소개서 자소서, 자기소개서, 자소서, 합격자기소개서, 합격 자기소개서, 합격자소서, 합격자기소개서,합격자소서,기업 자기소개서, 기업 자소서, 기업자기소개서, 기업자소서, 취업 자소서, 취업 자기소개서, 면접 자소서, 면접 자기소개서, 이력서
현장실습을 하며 업무가 진행되는 상황을 보니 새로운 설계 방법론을 개발하기 위해 낯선 분야를 공부하고 고객사와 미팅을 하는 일들이 끊임없이 발생하였습니다. 실제 칩 설계 과정에 대한 궁금증을 해소하기 위.. -
표면공학 [PVD]에 대해서
목 차 1. 서론 2. PVD법 2.1 PVD 란 2.1 PVD 원리 2.3 PVD 개요 2.4 PVD 영상 2.5 PVD 장·단점 3. PVD 종류 3.1 PVD 종류 3.2 증발 (아크증발법) 3.3 이온도금 (이온주입법) 3.4 스퍼터링 3.4.1 강화된.. -
금속과 표면공학 - PVD에 대해서
목 차 1. 서론 2. PVD법 2.1 PVD 란 2.1 PVD 원리 2.3 PVD 개요 2.4 PVD 영상 2.5 PVD 장·단점 3. PVD 종류 3.1 PVD 종류 3.2 증발 (아크증발법) 3.3 이온도금 (이온주입법) 3.4 스퍼터링 3.4.1 강화된.. -
2025 TI Korea Technical Sales Engineer Intern 자기소개서
저는 임베디드 시스템 설계, 마이크로 컨트롤러 및 반도체 제품을 활용한 프로젝트 경험을 바탕으로, 고객 맞춤형 솔루션을 제공할 수 있는 역량을 갖추고 있습니다. TIK orea에서도 고객사의 기술적 문제를 해결.. -
연구개발(R&D)_박막소재 연구(프리커서 개발) 자기소개서 지원서
이 경험은 단순한 실험 수행 능력이 아닌, 데이터에서 이상을 감지하고 원인을 끝까지 추적하며, 대안을 구조적으로 설계하는 집요함과 분석력이 실제 결과로 이어질 수 있음을 보여줍니다. 프리커서 개발은 소자 .. -
합금 - 형상기억합금에 대해서
1.형상기억합금 현재 우리가 사용하고 있는 니켈-티타늄(Ni-Ti) 소재의 형상기억합금은 1960년 미국 메릴랜드주 있는 미해군 병기연구소 한 연구원의 우연한 행동으로 발견되었다. 당시 미해군에서는 잠수함 선채.. -
반도체공학 실험 - Metal Deposition
실험 4 : Metal Deposition 1. 실험 목적 MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Dry etching 을 실시한 후 Si기판 위에 금속을 증착시키는 공정인 Metal deposition 을 실시하여 기판의 면저항을 측정한다. 증착시.. -
결정질 실리콘 태양전지 제조공정
결정질 실리콘 태양전지 제조공정 1. 전지의 일반 제조 공정 입사광선의 표면 반사율을 줄이고 빛의 수광 효율을 향상시킬 수 있도록 웨이퍼 표면을 처리하는 공정이 표면 구조화(surface texturing) 공정이다. .. -
[현대물리학] 반도체 레이저 다이오드에 대해
현대물리학 레포트 (반도체 레이저 다이오드에 대해) 1. 반도체 레이저(semiconductor laser)란 레이저 다이오드(laser diode :LD)와 같은 말이며, 반도체 내에서 전자의 광학천이에 의한 광자의 유도방출을 이..
