[신소재공학] Sputtering을 이용한 Ti 증착(요소설계) - 반도체 형성 원리에 대해
[신소재공학] Sputtering을 이용한 Ti 증착(요소설계) - 반도체 형성 원리에 대해
Sputtering을 이용한 Ti 증착
목차
실험 목적
실험 이론
실험 방법
결과 및 토의
1. 실험 목적
Working pressure를 변화 시킬 때 두께와 저항의 변화를 그래프를 이용해 분석하여 Working pressure와 두께, 저항의 관계를 알아본다.
2. 실험 이론-Sputter의 원리
구슬치기의 원리
스퍼터링 장치의 구성
Vacuum chamber
Target-Ti 특성
원자번호 22번, 원자량 47.88
가볍고, 강하고, 내식성이 크다.
비자성-] 바이오메티칼 부문에 널리 쓰임
좋은 열 전달
높은 용융점 (1725°C)
좋지 않은 전도체→좋은 저항체
Target-Ti 용도
3. 실험 방법-실험 조건
power: 100W
gas: Ar
Flow rate: 15sccm (Standard Cubic Centimeter per minute 부피유속이라기 보다는 molar flow)
SubstrateTemperature: Room Temperature
deposition time: 10min
working pressure: sample1:1mtorr, sample2: 4mtorr, sample3: 7mtorr, sample4: 10mtorr
base pressure:5~7x10-7 torr
Ti는 Si위에 증착
3. 실험 방법
....
목차
실험 목적
실험 이론
실험 방법
결과 및 토의
1. 실험 목적
Working pressure를 변화 시킬 때 두께와 저항의 변화를 그래프를 이용해 분석하여 Working pressure와 두께, 저항의 관계를 알아본다.
2. 실험 이론-Sputter의 원리
구슬치기의 원리
스퍼터링 장치의 구성
Vacuum chamber
Target-Ti 특성
원자번호 22번, 원자량 47.88
가볍고, 강하고, 내식성이 크다.
비자성-] 바이오메티칼 부문에 널리 쓰임
좋은 열 전달
높은 용융점 (1725°C)
좋지 않은 전도체→좋은 저항체
Target-Ti 용도
3. 실험 방법-실험 조건
power: 100W
gas: Ar
Flow rate: 15sccm (Standard Cubic Centimeter per minute 부피유속이라기 보다는 molar flow)
SubstrateTemperature: Room Temperature
deposition time: 10min
working pressure: sample1:1mtorr, sample2: 4mtorr, sample3: 7mtorr, sample4: 10mtorr
base pressure:5~7x10-7 torr
Ti는 Si위에 증착
3. 실험 방법
....
-
(KAIST) 반도체공학대학원 신소재공학과 자기소개서와 면접자료
앞으로 카이스트에서 심도 있는 연구와 학문적 도전을 통해 반도체 산업에 혁신적인 소재와 기술을 기여할 준비를 단단히 해나가고자 합니다. 저의 연구 주제는 '2차원 신소재 기반의 저전력 고성능 반도체 소자 .. -
카이스트(KAIST) 반도체공학대학원 신소재공학과 자기소개서와 면접자료
앞으로 카이스트에서 심도 있는 연구와 학문적 도전을 통해 반도체 산업에 혁신적인 소재와 기술을 기여할 준비를 단단히 해나가고자 합니다. 저의 연구 주제는 '2차원 신소재 기반의 저전력 고성능 반도체 소자 .. -
(TI Korea) Field Applications Engineer Intern-Digital 자기소개서
저는 인턴십을 통해 TI의 디지털 반도체 솔루션을 직접 다뤄보고, 고객과의 소통을 기반으로 기술적 문제를 해결하는 경험을 쌓으며, 장기적으로 반도체 애플리케이션 전문가로 성장하고 싶습니다. FAE 직무는 고.. -
[텍사스인스트루먼트코리아 Field Applications Engineer 합격 자기소개서] 자기소개서 자소서, 자기소개서, 자소서, 합격자기소개서, 합격 자기소개서, 합격자소서, 합격자기소개서,합격자소서,기업 자기소개서, 기업 자소서, 기업자기소개서, 기업자소서, 취업 자소서, 취업 자기소개서, 면접 자소서, 면접 자기소개서, 이력서
현장실습을 하며 업무가 진행되는 상황을 보니 새로운 설계 방법론을 개발하기 위해 낯선 분야를 공부하고 고객사와 미팅을 하는 일들이 끊임없이 발생하였습니다. 실제 칩 설계 과정에 대한 궁금증을 해소하기 위.. -
표면공학 [PVD]에 대해서
목 차 1. 서론 2. PVD법 2.1 PVD 란 2.1 PVD 원리 2.3 PVD 개요 2.4 PVD 영상 2.5 PVD 장·단점 3. PVD 종류 3.1 PVD 종류 3.2 증발 (아크증발법) 3.3 이온도금 (이온주입법) 3.4 스퍼터링 3.4.1 강화된.. -
금속과 표면공학 - PVD에 대해서
목 차 1. 서론 2. PVD법 2.1 PVD 란 2.1 PVD 원리 2.3 PVD 개요 2.4 PVD 영상 2.5 PVD 장·단점 3. PVD 종류 3.1 PVD 종류 3.2 증발 (아크증발법) 3.3 이온도금 (이온주입법) 3.4 스퍼터링 3.4.1 강화된.. -
2025 동진쎄미켐 연구개발_반도체 CVD.ALD 박막 증착 공정 및 Precursor 개발 자기소개서
저의 가장 큰 강점은 CVD 및 ALD 공정 전반에 대한 실험 경험과 Precursor물질의 합성과 분석에 대한 이해를 바탕으로, 소재 개발부터 공정 최적화까지 전주기를 설계하고 문제를 해결할 수 있는 능력입니다. 대학.. -
합금 - 형상기억합금에 대해서
1.형상기억합금 현재 우리가 사용하고 있는 니켈-티타늄(Ni-Ti) 소재의 형상기억합금은 1960년 미국 메릴랜드주 있는 미해군 병기연구소 한 연구원의 우연한 행동으로 발견되었다. 당시 미해군에서는 잠수함 선채.. -
반도체공학 실험 - Metal Deposition
실험 4 : Metal Deposition 1. 실험 목적 MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Dry etching 을 실시한 후 Si기판 위에 금속을 증착시키는 공정인 Metal deposition 을 실시하여 기판의 면저항을 측정한다. 증착시.. -
연구개발(R&D)_박막소재 연구(프리커서 개발) 자기소개서 지원서
이 경험은 단순한 실험 수행 능력이 아닌, 데이터에서 이상을 감지하고 원인을 끝까지 추적하며, 대안을 구조적으로 설계하는 집요함과 분석력이 실제 결과로 이어질 수 있음을 보여줍니다. 프리커서 개발은 소자 ..
