구 성
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Thin Film Application
Thin Film
부피대비 표면적 비율이 높은 막을 의미하며 ㎚ ~ ㎛ 단위를 지닌다.
막박
Physical Vapor Deposition
진공 중에서 금속을 기화시켜 기판에 증착.
vaporation
E
1. 증착 하려는 source material을 도가니에 넣고 가열.
2. Source material이 기체상태가 되어 기판의 표면에 충돌.
3. 충돌된 기체상태의 금속원자가 기판에 증착됨.
Hermal Evaporation
T
-beam Evaporation
E
Physical Vapor Deposition
높은 에너지를 갖는 미립자들에 의한 충돌에 의해 target이라 불리는
물질의 표면으로부터 떨어져 나오는 원자를 증착.
puttering
S
Physical Vapor Deposition
기체 상태에서 계속 가열하면, 이온핵과 자유전자로 이루어진 입자들의 집합체가 만들어지는데 이를 Plasma라 하며 전기적으로 중성상태를 지닌다. 또한 고체, 액체, 기체와 더불어 제 4의 물질상태 라고도 불리기도 한다.
lasma
P
Physical Vapor Deposition
Vaporation
E
puttering
S
vs
Chemical Vapor Deposition
....
반도체 공학 - 반도체 공정에 관해서 Semiconductor-Grade Silicon
Table 4.1
CVD 이용// PVD이용
Back End Processing
1243
5
표면공학 [PVD]에 대해서 목 차
1. 서론
2. PVD법
2.1 PVD 란
2.1 PVD 원리
2.3 PVD 개요
2.4 PVD 영상
2.5 PVD 장·단점
3. PVD 종류
3.1 PVD 종류
3.2 증발 (아크증발법)
3.3 이온도금 (이온주입법)
3.4 스퍼터링
3.4.1 강화된..
금속과 표면공학 - PVD에 대해서 목 차
1. 서론
2. PVD법
2.1 PVD 란
2.1 PVD 원리
2.3 PVD 개요
2.4 PVD 영상
2.5 PVD 장·단점
3. PVD 종류
3.1 PVD 종류
3.2 증발 (아크증발법)
3.3 이온도금 (이온주입법)
3.4 스퍼터링
3.4.1 강화된..
열변형이없는표면개질
목 차
1. 제목 : 열변형이 없는 표면개질
2. 서론 표면개질
3. 본론 . PVD
. 플라즈마 CVD
. 질화
. 쇼트 피닝
4. 결론 전망과 의견
5. 참고문헌
6. 발표시 질문의 보충설명
7. 사본
열변형이 없는 ..
실험보고서 - 발광박막제조 및 PL분광법을 이용한 특성 분석 결과 보고서 1. 실험방법
◉ 기판 세정
① 준비된 glass를 2×2 cm2 크기로 자른 뒤, boat에 담는다.
② TCE, Acetone, Methanol, DI Water 순으로 각각 10분씩 초음파 세척을 한다.
③ 세척 후 N2 기체로 blow drying 한다.
④..
실험보고서 - 실리카 박막의 제조 과정 실리카 박막의 제조 과정
1. 서론
졸-겔 법을 이용하여 산화물 박막을 제조할 수 있다는 가능성은 1930년대에 제안되었으며, 금속 알콕사이드를 원료로 사용하여 졸-겔 공정을 통해 박막을 제조할 경우. 결이 ..