① 모든 밸브가 잠겨있는지 확인한다.
②증착시키려는 소스를 철판 위에 작은 시약 스푼으로 한 스푼 올려놓는다.
③ 셔터를 닫은 상태에서 슬라이드를 끼운다.
④ Rotary Pump Switch를 ON으로 한다.
⑤ Rough Valve를 풀어준다.
⑥ 진공의 정도를 까지 (Tube 안이 무색이 될 때) 확인한다.
⑦ Rough Valve를 잠그고, Foreline Valve를 연 후, Diffusion Pump를 ON으로 한다.
다.
⑧ Foreline Valve를 풀어 완전히 열어준다.
⑨ Diffusion Pump를 켜준 후 따뜻해 질 때까지 (가열된 기름이 확산 될 때 까지) 기다리다가 따뜻해지면 그 때 Main Valve를 열어준다.
⑩ 진공도를 이온게이지를 이용하여 수시로 확인해 주면서 기다린다.
⑪ 이온게이지 상에 정도의 진공도를 확인하게 되면 셔터를 열어준다.
⑫ 텅스텐 보트에 전류를 흘려주어 증착이 시작되게 한다.
⑬ 증착이 끝나면 서서히 전류를 차단하고 Main Valve를 잠근다. 그리고 Leak Valve를 열어 공기를 주입한다.
⑭ Diffusion Pump가 냉각되면 Foreline Valve를 잠근다. 그리고 Rotary Pump Switch를 OFF로 하고, Main Switch도 OFF로 한다.
⑮ 다시 Chamber 내의 공기를 빼내 진공상태를 만들어 기계의 수명을 유지하도록 한다.
2.실험 결과
1.성공적으로 기판에 증착된 모습↑
2.증착률에 관한 수식
증발원으로부터 증발된 분자들은 기판에 증착되기 전에 어떤 방향성(directionality)을 가지며 운동하는데, 기판위로 순도가 매우 높고, 고르게 방출되는 이상적인 증착의 경우 증착률은 다음의 Knudsen에 의한 emission cosine law에 의해 결정된다.
....
반도체공학 실험 - Metal Deposition 실험 4 : Metal Deposition
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Dry etching 을 실시한 후 Si기판 위에 금속을
증착시키는 공정인 Metal deposition 을 실시하여 기판의 면저항을 측정한다. 증착시..
[전자재료실험] MOS Capacitor - 목차 -
1. 실험 목적
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p. 2
2. 실험 배경
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3. 실험 이론
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p. 2
① Si의 특성
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② MOS Capacitor
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p. 3
③ E-Beam의 구조와 증착원리
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p. 8
4. 실험 방법
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p. 9
5. 결과 예측
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p..
SK하이닉스 품질 직무 첨삭 자소서 이를 통해 졸업과제를 향해 팀원이 하나가 되었고, 최적의 방안으로 태양전지용 버퍼층을 생성하며 두 가지 모두를 성공적으로 달성할 수 있었던 경험이었습니다.
201X년 예식장에서 주차권 관리직을 수행하며, 기..
화학공학실험 - 진공 상에서의 물질의 증착 화학공학실험 - 진공 상에서의 물질의 증착
Ⅰ 실험목표
진공 상에서의 물질의 증착을 이해하고, 압력에 따라 변화하는 챔버 안의 증발 분자량을 계산한다.
Ⅱ 실험 이론
① 압력 단위 환산
1atm = 101325Pa = 1..
[소재공정실험] 박막공학 - PVD 와 CVD에 관해 소재공정실험
구 성
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Thin Film Application
Thin Film
부피대비 표면적 비율이 높은 막을 의미하며 ㎚ ~ ㎛ 단위를 지닌다.
막박
Physical Vapor Deposition
진공 중에서 금속을 기화시켜 기판에 증착.
vapo..
반도체 - 반도체 전前공정 및 CVD 공정 반도체 전前공정 및 CVD 공정
반도체 전前공정요약
웨이퍼제조공정
12
웨이퍼8대가공공정
1.산화
2.감광액
5.식각
3.노광
6.이온주입
4.현상
8.금속배선
7.화학기상증착
CVD
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실험보고서 - 발광박막제조 및 PL분광법을 이용한 특성 분석 결과 보고서 1. 실험방법
◉ 기판 세정
① 준비된 glass를 2×2 cm2 크기로 자른 뒤, boat에 담는다.
② TCE, Acetone, Methanol, DI Water 순으로 각각 10분씩 초음파 세척을 한다.
③ 세척 후 N2 기체로 blow drying 한다.
④..