BJT 실습
BJT 실습
BJT 실습
Simulation Using Smart-spice
2
Bipolar Junction Transistor
(c)
3
NPN Bipolar Junction Transistor
* BJT
.option scale=1u post
.dc VBE 0 0.8 1m VCE 0 5 1
VCE VCE 0 DC 1
VBE VBE 0 DC 0
Q1 VCE VBE 0 0 Q2N3904
.model Q2N3904 NPN (Is=6.734f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=5.03 Bf=416.4
+ Ne=1.259 Ise=6.734f Ikf=66.78m Xtb=1.5 Br=.7371 Nc=2 Isc=0
+ Ikr=0 Rc=0.1 Cjc=3.638p Mjc=.3085 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=4.493p
+ Mje=.2593 Vje=.75 Tr=239.5n Tf=301.2p Itf=.4 Vtf=4 Xtf=2 Rb=10)
.let IC=-i(VCE)
.plot IC
.end
4
Gateway simulation
.dc LIN VBE 0 0.8 1m LIN VCE 0 5 1
.model Q2N3904 NPN (Is=6.734f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=5.03 Bf=416.4
+ Ne=1.259 Ise=6.734f Ikf=66.78m Xtb=1.5 Br=.7371 Nc=2 Isc=0
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+ Mje=.2593 Vje=.75 Tr=239.5n Tf=301.2p Itf=.4 Vtf=4 Xtf=2 Rb=10)
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NPN Bipolar Junction Transistor
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Simulation Using Smart-spice
2
Bipolar Junction Transistor
(c)
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NPN Bipolar Junction Transistor
* BJT
.option scale=1u post
.dc VBE 0 0.8 1m VCE 0 5 1
VCE VCE 0 DC 1
VBE VBE 0 DC 0
Q1 VCE VBE 0 0 Q2N3904
.model Q2N3904 NPN (Is=6.734f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=5.03 Bf=416.4
+ Ne=1.259 Ise=6.734f Ikf=66.78m Xtb=1.5 Br=.7371 Nc=2 Isc=0
+ Ikr=0 Rc=0.1 Cjc=3.638p Mjc=.3085 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=4.493p
+ Mje=.2593 Vje=.75 Tr=239.5n Tf=301.2p Itf=.4 Vtf=4 Xtf=2 Rb=10)
.let IC=-i(VCE)
.plot IC
.end
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Gateway simulation
.dc LIN VBE 0 0.8 1m LIN VCE 0 5 1
.model Q2N3904 NPN (Is=6.734f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=5.03 Bf=416.4
+ Ne=1.259 Ise=6.734f Ikf=66.78m Xtb=1.5 Br=.7371 Nc=2 Isc=0
+ Ikr=0 Rc=0.1 Cjc=3.638p Mjc=.3085 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=4.493p
+ Mje=.2593 Vje=.75 Tr=239.5n Tf=301.2p Itf=.4 Vtf=4 Xtf=2 Rb=10)
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NPN Bipolar Junction Transistor
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[전기전자실험] BJT소자
실험 4 BJT 요약 - 새롭게 접하는 BJT소자에 대해 알아본다. BJT를 이용한 Monostable Multivibrator 와 Schmitt trigger 회로를 분석하며 BJT소자의 특성에 대해 알고 실제 회로에서 응용할 수 있는 방법을 알아.. -
전자공학 - 접합형 트랜지스터(Bipolar junction transistor ; BJT)
접합형 트랜지스터(Bipolar junction transistor ; BJT) 1. 접합형 트랜지스터(Bipolar junction transistor ; BJT)란 - 바이폴라 트랜지스터(Bipolar transistor 또는 Bipolar junction transistor ; BJT)는 접.. -
전자공학 실험 - BJT의 특성과 바이어스회로
BJT의 특성과 바이어스회로 1. 실험 목적 - 바이폴라 접합 트랜지스터의 직류 특성을 직류 등가 회로와 소신호 등가회로의 모델 파라미터들을 구한다. 그리고 바이어스 원리와 안정화를 학습하고, 전압 분할기 바.. -
[전자회로실험] BJT 차동 증폭기 결과
실험. BJT 차동 증폭기 1.Orcad 결과 [차동쌍의 컬렉터 전류 대 차동 입력 전압 특성] -회로- -파형- [차동쌍의 차동 출력 전압 대 차동 입력 전압 특성] -회로- -파형- [차동쌍의 입력 및 출력 전압 파형] -.. -
전기전자회로 실험 - BJT의 단자 특성과 바이어싱 결과
목차 실험 목적 예비 지식 준비 기기 및 부품 실험 과정 PSPICE 실험 결과 고찰 결론 및 오차 실험 목적 활성 모드에서 동작하는 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)의 단자 특성을 실험을 통해 이해한다. BJT.. -
쌍극성 접합 트랜지스터[BJT]특성, BJT의 고정 바이어스 및 전압 분배기 바이어스에 대해서
쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)특성 - 실험 결과 - 1) 트랜지스터의 형태, 단자, 재료의 결정 다음 실험순서는 트랜지스터의 형태, 트랜지스터의 단자 그리고 재료를 결정 할 것이다. 여기에는 멀티미터에 있는 다.. -
기초전자 BJT증폭기, 전력증폭기, 연산증폭기, 귀한연산증폭기, 기본연산 증폭기회로 개념 및 특징 조사분석
Report ( 기초전자 BJT증폭기, 전력증폭기, 연산증폭기, 귀한연산증폭기, 기본연산 증폭기회로 개념 및 특징 조사분석 ) 목 차 1. BJT증폭기. 2. 전력 증폭기 3. 연산 증폭기의 특성 4. 귀환 연산 증폭기 5.. -
BJT의 특성 및 DC Bias 회로
전자회로 실험 실험 BJT의 특성 및 DC Bias 회로 실험 11.1 바이어스에 따른 BJT Transistor(CA3046)의 aF와 bF, 그리고 동작영역을 그림 7 회로의 실험을 통해 알아본다. VCC=10V, RC=10㏀ (1) VBB 전압을 조절.. -
전자회로실험 - BJT의 특성 및 bias 결과 보고서
전자회로실험 - BJT의 특성 및 bias 1. 실험 제목 BJT의 특성 및 bias 2. 실험 목적 2-1.트랜지스터 바이어스, 동작점, 증폭 작용, 스위치 작용 사이의 상관 관계를 인식함으로써 트랜지스터 회로 설계 능력을.. -
전자회로 설계 - BJT Amp 설계
1. 회로설명 ※ 이번 BJT-Amp 설계의 목표는 다음과 같다 1. Gain = 20DB 2. Input impedance 는 1k 이상 3. Output impedance 는 10 이하 ※ 입력 전압을 증폭시키기 위한 기본적인 Common emitter는 다음과 ..
