전자공학 - 접합형 트랜지스터(Bipolar junction transistor ; BJT)

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전자공학 - 접합형 트랜지스터(Bipolar junction transistor ; BJT)
접합형 트랜지스터(Bipolar junction transistor ; BJT)

1. 접합형 트랜지스터(Bipolar junction transistor ; BJT)란

- 바이폴라 트랜지스터(Bipolar transistor 또는 Bipolar junction transistor ; BJT)는 접합형 트랜지스터라고도 불리는 트랜지스터의 일종이다. n-형과 p-형 반도체, 그리고 이들의 접합(接合) 형성과 이용이 개발되었다. N형과 P형 반도체가 P-N-P 또는 N-P-N 의 접합구조를 가지고 있다. 이미터,베이스,켈렉타 :세개의 단자 발진,주파수변환,스위칭 접합형 트랜지스터(FET)집적도가 높다.

2. 접합형 트랜지스터(Bipolar junction transistor ; BJT)역사

- 접합형 트랜지스터는 1947년 Bell 연구소에서 존 바딘, 월터 브래튼 그리고 윌리엄 쇼클리에 의해 발명되었다. 진공관의 전자회로 구현에서 많은 문제가 있다. 크기와 소모전력 그리고 내구성에서 많은 문제를 갖는다. 특히 스위치 개념을 적용할 때, 많은 소자가 필요한데 공간의 한계가 문제가 된다. 그래서 반도체를 이용한 스위치의 필요성이 대두 되어 개발 되었다.
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