[전기공학] 전기전자회로실험 제안서(광운대)
[전기공학] 전기전자회로실험 제안서(광운대)
전기전자회로실험
제안서
Contents
1. transistor
2. Brain Storming
3. Circuit Diagram, Description
4. Motivation
5. Function Summary
6. Problem Solution
7. Weekly Plans
8. Individual Role
1. transistor
트랜지스터의 역사
1.1948년 미국의 벨 전화연구소에서 탄생
1948년에 트랜지스터가 발명되었으며 당시 전자 공업계에 상당한 충격을 주었습니다. 그로부터 전자 산업은 빠르게 발전하기 시작했으며 오늘날 엘렉트로닉스 시대의 개막에 시초가 되었습니다. 그 후의 컴퓨터를 시작으로 전자공학의 급속한 발전은 우리의 생활을 편리하고 풍부하게 해 주었습니다. 트랜 지스터의 발명에 공헌한 세 명의 물리학자 (W. Shockley, J. Bardeen, W. Brattain)가 노벨상을 수상한 것은 어쩌면 당연하다 할수 있겠습니다. 앞으로 트랜지스터에 필적할 정도의 것이 또다시 발 명될 수 있을 것인지 아무도 장담할 수 없을 것입니다. 그만큼 트랜지스터의 발명은 현대에 큰 영향 을 주었다고 말할 수 있겠습니다.
2. 게르마늄에서 실리콘으로 발전
트랜지스터는 당초 게르마늄이라는 반도체로 만들어 졌으나 게르마늄은 약 80℃정도의 온도밖에 견디 지 못하는 결점이 있었습니다. 이 때문에 지금에 와서는 거의 실리콘을 이용하고 있으며 실리콘은 약 180℃ 이상의 온도에도 견딜 수 있는 물질입니다.
3. 트랜지스터의 기능은 증폭과 스위칭
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제안서
Contents
1. transistor
2. Brain Storming
3. Circuit Diagram, Description
4. Motivation
5. Function Summary
6. Problem Solution
7. Weekly Plans
8. Individual Role
1. transistor
트랜지스터의 역사
1.1948년 미국의 벨 전화연구소에서 탄생
1948년에 트랜지스터가 발명되었으며 당시 전자 공업계에 상당한 충격을 주었습니다. 그로부터 전자 산업은 빠르게 발전하기 시작했으며 오늘날 엘렉트로닉스 시대의 개막에 시초가 되었습니다. 그 후의 컴퓨터를 시작으로 전자공학의 급속한 발전은 우리의 생활을 편리하고 풍부하게 해 주었습니다. 트랜 지스터의 발명에 공헌한 세 명의 물리학자 (W. Shockley, J. Bardeen, W. Brattain)가 노벨상을 수상한 것은 어쩌면 당연하다 할수 있겠습니다. 앞으로 트랜지스터에 필적할 정도의 것이 또다시 발 명될 수 있을 것인지 아무도 장담할 수 없을 것입니다. 그만큼 트랜지스터의 발명은 현대에 큰 영향 을 주었다고 말할 수 있겠습니다.
2. 게르마늄에서 실리콘으로 발전
트랜지스터는 당초 게르마늄이라는 반도체로 만들어 졌으나 게르마늄은 약 80℃정도의 온도밖에 견디 지 못하는 결점이 있었습니다. 이 때문에 지금에 와서는 거의 실리콘을 이용하고 있으며 실리콘은 약 180℃ 이상의 온도에도 견딜 수 있는 물질입니다.
3. 트랜지스터의 기능은 증폭과 스위칭
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[레포트] 광운대학교 전기전자회로 실험
Report 설계1 제안서 목차 1.실험 목표 2.관련 이론 3.브레인스토밍 4.브레인스토밍(결과) 5.사용재료 6.역할 분담 7.설계 일정 8.문제 및 해결방안 1.실험 목표 a)부품이해와 회로도 분석능력을 키우려 노력한.. -
[전기공학] 전자기유도현상을 응용한 자기부상열차
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기초전자공학 실험 - RLC회로의 과도 응답
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기초전자공학 실험 - RLC회로
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