BJT의 특성 및 DC Bias 회로
BJT의 특성 및 DC Bias 회로
전자회로 실험
실험 BJT의 특성 및 DC Bias 회로
실험 11.1 바이어스에 따른 BJT Transistor(CA3046)의 aF와 bF, 그리고 동작영역을 그림 7 회로의 실험을 통해 알아본다. VCC=10V, RC=10㏀
(1) VBB 전압을 조절하여 VB전압을 0~0.8 V의 범위에서 증가시키면서 컬렉터 전압 VC,가지 전류 IB, IC, IE를 측정한다. VB와 VC결과로부터 동작영역을 구하고, IB*,IC*,IE*값으로부터 aF와 bF를 구하여 표 2에 기록한다.
*실험에서 전류를 측정할 때에는 해당 가지의 저항에 걸리는 전압을 저항 값으로 나누면 정확한 값을 얻는다.
그림 7. VB전압의 변화에 따른 동작 영역의 변화를 관찰하고, 각 동작영역에서의 aF와 bF를 측정하는 회로
표 2 VB전압의 변화에 따른 동작 영역의 변화 및 각 동작영역에서의 aF와 bF 측정값
VBB
VB
VC
동작영역
IB (㎃)
IC(㎃)
IE(㎃)
FF
0.000
0.000
10.000
cut-off
0.000
0.000
0.000
00
0.612
0.612
9.980
cut-off
0.000
0.002
0.002
00
0.630
0.630
9.910
cut-off
0.000
0.009
0.009
00
0.645
0.645
9.790
cut-off
0.000
0.021
0.021
00
0.662
0.662
9.547
cut-off
0.000
0.045
0.045
00
0.680
0.680
9.086
cut-off
0.000
0.091
0.091
00
0.696
0.696
8.210
cut-off
0.000
0.179
0.179
00
0.712
0.712
6.625
cut-off
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실험 BJT의 특성 및 DC Bias 회로
실험 11.1 바이어스에 따른 BJT Transistor(CA3046)의 aF와 bF, 그리고 동작영역을 그림 7 회로의 실험을 통해 알아본다. VCC=10V, RC=10㏀
(1) VBB 전압을 조절하여 VB전압을 0~0.8 V의 범위에서 증가시키면서 컬렉터 전압 VC,가지 전류 IB, IC, IE를 측정한다. VB와 VC결과로부터 동작영역을 구하고, IB*,IC*,IE*값으로부터 aF와 bF를 구하여 표 2에 기록한다.
*실험에서 전류를 측정할 때에는 해당 가지의 저항에 걸리는 전압을 저항 값으로 나누면 정확한 값을 얻는다.
그림 7. VB전압의 변화에 따른 동작 영역의 변화를 관찰하고, 각 동작영역에서의 aF와 bF를 측정하는 회로
표 2 VB전압의 변화에 따른 동작 영역의 변화 및 각 동작영역에서의 aF와 bF 측정값
VBB
VB
VC
동작영역
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0.179
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0.712
0.712
6.625
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