기초전기전자 실험 - 트랜지스터(고정 bias 회로설계)
기초전기전자 실험 - 트랜지스터(고정 bias 회로설계)
기초전기전자 실험 - 트랜지스터(고정 bias 회로설계)
1. 목 적
1)TR의 특성을 이해하고 특성중 전류증폭을 확인하라.
2)펑션 제너레이터를 이용하여 전류증폭작용을 DSO를 통해 확인하자.
2. 이 론
저번주 실험은 트랜지스터의 “스위치작용”였고
이번 실험은 “전류증폭”이다. 그래서 이론은 트랜지스터 이므로 동일하여
같이 사용하고 전류증폭에 관련된 것을 뒤에 더 추가하였다.
트렌지스터 (TR)
P형 반도체와 N형 반도체의 접합에 다시 N형이나 P형 반도체를 붙여서 만든 것
요즘은 FET(Field-effect Transistor)란 트렌지스트가 사용이 많이 되고있어서 점차 BJT의 시장이 줄어 들고있다.
(1)BJT
회로 기호와 종류
위와 같이 NPN형과 PNP형이 있다
이것은 3개의 단자를 가지게 되는데 각각 Base, Collector, Emitter.. 베이스, 컬렉터, 이미터라고 부른다.
회로기호에서 이미터에 화살표가 그려져 있는데 이는 전류가 흘러가는 방향을 나타내는 것이다.
(제가 회색으로 더 자세하게 전류의 방향을 다시 그려넣었습니다.)
또한 중요하게 봐야 할것이 이미터는 컬렉터와 다르게 + 가 기호가 붙어있는데
이는 더 짙은 농도로 도핑(doping)이 되었다는 것을 의미한다.
NPN TR의 Active mode의 동작을 위의 그림에서 설명하고 있다.
PNP TR이나 NPN TR이나 Active mode에서 동작하기 위해서는 위와 같이 E-B에 순방향 전압(Forward bias)를
걸어주고, C-B에는 역방향 전압(Reverse bias)를 걸어주면 PNP이다.
일단 NPN TR이다 보니 전류의 주된 원인은 전자가 되겠구요.(사실 정공도 기여를 하지만 전자가 더 많이 기여합니다. 즉, PNP TR에서는 정공이 전류의 주된 역할을 하게 되지요.)
본래 평형상태에서는 이미터와 베이스 사이에 공핍층이 형성되어있기 때문에 전자가 이미터에서 베이스로 쉽게 넘어가
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1. 목 적
1)TR의 특성을 이해하고 특성중 전류증폭을 확인하라.
2)펑션 제너레이터를 이용하여 전류증폭작용을 DSO를 통해 확인하자.
2. 이 론
저번주 실험은 트랜지스터의 “스위치작용”였고
이번 실험은 “전류증폭”이다. 그래서 이론은 트랜지스터 이므로 동일하여
같이 사용하고 전류증폭에 관련된 것을 뒤에 더 추가하였다.
트렌지스터 (TR)
P형 반도체와 N형 반도체의 접합에 다시 N형이나 P형 반도체를 붙여서 만든 것
요즘은 FET(Field-effect Transistor)란 트렌지스트가 사용이 많이 되고있어서 점차 BJT의 시장이 줄어 들고있다.
(1)BJT
회로 기호와 종류
위와 같이 NPN형과 PNP형이 있다
이것은 3개의 단자를 가지게 되는데 각각 Base, Collector, Emitter.. 베이스, 컬렉터, 이미터라고 부른다.
회로기호에서 이미터에 화살표가 그려져 있는데 이는 전류가 흘러가는 방향을 나타내는 것이다.
(제가 회색으로 더 자세하게 전류의 방향을 다시 그려넣었습니다.)
또한 중요하게 봐야 할것이 이미터는 컬렉터와 다르게 + 가 기호가 붙어있는데
이는 더 짙은 농도로 도핑(doping)이 되었다는 것을 의미한다.
NPN TR의 Active mode의 동작을 위의 그림에서 설명하고 있다.
PNP TR이나 NPN TR이나 Active mode에서 동작하기 위해서는 위와 같이 E-B에 순방향 전압(Forward bias)를
걸어주고, C-B에는 역방향 전압(Reverse bias)를 걸어주면 PNP이다.
일단 NPN TR이다 보니 전류의 주된 원인은 전자가 되겠구요.(사실 정공도 기여를 하지만 전자가 더 많이 기여합니다. 즉, PNP TR에서는 정공이 전류의 주된 역할을 하게 되지요.)
본래 평형상태에서는 이미터와 베이스 사이에 공핍층이 형성되어있기 때문에 전자가 이미터에서 베이스로 쉽게 넘어가
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