◆ Ellipsometer (타원평광해석)
타원평광의 해석은 응용 박막광학으로 확립되었으나, 그 후 논리해석이 복잡해서 숙련된 소수의 전문가 밖에는 이용 할 수 없었다. 그러나 마이크로컴퓨터에 의한 측정과 계산을 자동적으로 하는 측정기가 시판되어 현재는 널리 사용되고 있다.
투명한 박막과기판의 경계면에 반사하는 광의 반사율과 편광각을 측정함으로써, 막의 굴절율과 광학적 두께를 동시에 구할 수 있다. 기판재료의 굴절률을 알고 있지 않으면 안 된다.
측정하는 것은 기판에 입사하는 광의 입사면 내의 편광폭 t반사율과 입사 수치면 내의 진폭 반사율의 비 tan 편광각도의 위상차 △이다. 이것들의 값과 굴절률 n 광학적 막두께 d와의 관계식은 제법 복잡하고 더구나 다양한 변수가 있기 때문에 여기에서는 생략한다.
측정 정밀도는 광학적 막두께에 다라 다르다. 막두께가 클 때에는 컴퓨터의 표시 값은 1차의 값으로만 표시된다.
◆ Ellipsometer의 원리
우선, ellipsometry 각 (, )에 대해 알아보자면, 편광방향이 입사면에 놓인 p-파와 입사면과 수직인 s-파에 대한 반사계수(rp, rs)로부터 ellipsometry 측정값인 (, )와의 관계를 유도한다.
그림: Polarizer에 의한 선형편광과 시편에 반사 후 발생한 타원편광
여기서 |rp(s)|는 입사파의 전기장의 세기(Eip(s))와 반사파의 전기장의 세기(Erp(s))의 크기의 비이다. 그리고 p(s)는 반사 후의 위상변화이다.
복소 반사계수비()를 정의하면
이로부터 두 ellipsometry 각이 정의가 된다. 즉,
따라서 는 같은 위상으로 입사한 p-파와 s-파가 반사 후에 갖게 되는 상호간의 위상차이고 tan는 그 반사계수의 크기 비이다.
대부분의 경우에 있어 ellipsometry의 운용원리는 다음과 같다.
....
반도체 공정 - ellipsometer[엘립소미트리]에 대해서 ◆ Ellipsometer (타원평광해석)
타원평광의 해석은 응용 박막광학으로 확립되었으나, 그 후 논리해석이 복잡해서 숙련된 소수의 전문가 밖에는 이용 할 수 없었다. 그러나 마이크로컴퓨터에 의한 측정과 계산을 ..
구조실험- 휘플 트리(Whiffle Tree)를 이용한 하중 실험 1. 실험 제목
휘플 트리(Whiffle Tree)를 이용한 하중 실험
2. 실험 목적
항공기 구조시험에서 분포 하중을 부여하기 위해 사용되는 휘플 트리(Whiffle Tree)를 이용하여 실제 날개에 발생하는 하중과 유사한 형..
반도체공정 실험 - Cleaning Oxidation 실험 1 : Cleaning Oxidation
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 Wafer cleaning Oxidation 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide ..