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(검색결과 약 178개 중 3페이지)
국내 다이오드, 트랜지스터 및 반도체 부품 시장통계(2008년까지)
비지니스 > 경제동향    12페이지 
국내 다이오드, 트랜지스터 및 반도체 부품 시장통계(2008년까지) 자료 입니다.(사업체수, 생산액, 출하액 포함) * 시장통계 목차 * 1. 산업 동향 가. 조사범위 나. 제조업 동향(2008년만) 다. 상위 산업..
품목의 시장통계, 사업체수, 생산액(백만원), 출하액(백만원), valueadd, ㈜밸류애드
기초전기전자 실험 - 트랜지스터(고정 bias 회로설계)
리포트 > 공학/기술    6페이지 
기초전기전자 실험 - 트랜지스터(고정 bias 회로설계) 1. 목 적 1)TR의 특성을 이해하고 특성중 전류증폭을 확인하라. 2)펑션 제너레이터를 이용하여 전류증폭작용을 DSO를 통해 확인하자. 2. 이 론 저번주 ..
[전기전자] BJT IC 및 동작특성 기술
리포트 > 자연과학    4페이지 
BJT IC 및 동작특성 기술 ◎ RTL (Resistor Transistor Logic) ◆ 기판 위에 저항을 부착시키고 거기에 트랜지스터를 설치해 모듈화시킨 IC ◆ 디지탈 IC로서는 최초 ◆ 현재는 거의 사용치 않음 ▷ 3- Input NOR..
전기전자회로 실험 - BJT의 단자 특성과 바이어싱 결과
리포트 > 공학/기술    25페이지 
목차 실험 목적 예비 지식 준비 기기 및 부품 실험 과정 PSPICE 실험 결과 고찰 결론 및 오차 실험 목적 활성 모드에서 동작하는 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)의 단자 특성을 실험을 통해 이해한다. BJT..
전기전자 실험 - 공통 소스 트랜지스터 증폭기
리포트 > 자연과학    4페이지 
공통 소스 트랜지스터 증폭기 실험 순서 1. Idss와 Vp측정 a. Vdd=+20V, Rg=1MΩ, Rd=510Ω, Rs=0Ω으로 설정하고 그림 20-1의 회로를 구성하라. Vd의 값을 측정하고 기록하라. Vd(측정값)=18.95V 드레인 전류 I..
[전기전자실험] FET의 실험
리포트 > 공학/기술    9페이지 
실험 5 FET 요약 - FET가 각 조건에 따라 어떻게 동작하는지 바이어스, 동작점, 증폭 작용, 스위치 작용 사이의 상관관계를 인식한다. 아울러 동작점이 회로 및 소자와 어떻게 연관되어 있는지 이해한다. Ⅰ. 실..
[전기전자] 전계 효과 트랜지스터[FET]에 관해
리포트 > 자연과학    4페이지 
전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor(FET)) 1)접합형 FET (Junction FET(JFET)) 그림13-1. n-channel JFET 그림은 접합형 FET를 보인다. 위의 그림에서 전하 운반자는 n-type 즉, 전자(electron)..
[전기공학] 전기전자회로실험 제안서(광운대)
리포트 > 공학/기술    10페이지 
전기전자회로실험 제안서 Contents 1. transistor 2. Brain Storming 3. Circuit Diagram, Description 4. Motivation 5. Function Summary 6. Problem Solution 7. Weekly Plans 8. Individual Role 1..
오픈 콜렉터와 오픈 드레인 회로
리포트 > 공학/기술    13페이지 
오픈 콜렉터와 오픈 드레인 회로 디지털 소자를 사용하다 보면 간혹 TTL에서 개방 콜렉터(open collector)나 CMOS에서 개방드레인(open drain)형이라는 말을 듣게 된다. 이는 도대체 무엇인가 이를 이해하기 위..
전자공학 실험 - BJT의 특성과 바이어스회로
리포트 > 공학/기술    11페이지 
BJT의 특성과 바이어스회로 1. 실험 목적 - 바이폴라 접합 트랜지스터의 직류 특성을 직류 등가 회로와 소신호 등가회로의 모델 파라미터들을 구한다. 그리고 바이어스 원리와 안정화를 학습하고, 전압 분할기 바..
달링턴
리포트 > 공학/기술    16페이지 
달링턴(Darlington) 쌍 목차 실험 제목, 동기 및 목적 달링턴쌍 이론 실험준비물 및 실험절차 실험결과 및 Simulation 결과 달링턴(Darlington)쌍을 이용한 달링턴 증폭회로 실험 실험 동기 실험 목적 달링턴쌍..
오픈 콜렉터와 오픈 드레인 회로, 풀업 풀다운 저항, 플래시 메로리란
리포트 > 공학/기술    13페이지 
오픈 콜렉터와 오픈 드레인 회로 디지털 소자를 사용하다 보면 간혹 TTL에서 개방 콜렉터(open collector)나 CMOS에서 개방드레인(open drain)형이라는 말을 듣게 된다. 이는 도대체 무엇인가 이를 이해하기 위..
컴퓨터의 발달사
리포트 > 공학/기술    5페이지 
⑴제1세대 컴퓨터(first generation; 1951∼1959 : 진공관시대) ⑵제2세대 컴퓨터(second generation; 1959∼1963 : 트랜지스터 시대) ⑶제3세대 컴퓨터(third generation; 1964∼1971 : 집적회로시대) ⑵제4세대 ..
에미터 공통회로의 출력 특성곡선
리포트 > 공학/기술    3페이지 
●실험제목 에미터 공통회로의 출력 특성곡선 ●목적 ∘에미터 공통회로의 컬렉터 특성(VCE-IC)을 실험 한다. ●실험재료 전원공급기, 전류계2대, 저항(100Ω, 470Ω), 트랜지스터(2N6004), 2.5kΩ 가변저항기 ●관..
전자회로실험 - 푸쉬풀 증폭기
리포트 > 자연과학    3페이지 
전자회로실험 - 푸쉬풀 증폭기 ●목 적 1. B급 동작을 정의하고 2. 푸쉬풀 전력증폭기의 원리를 이해하며 3. 이 증폭기의 주파수 특성을 조사한다. ●기기 및 부품 1. 직류가변전원 : 0-30V 2. 오실로스코프 3..
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