전자전기설계실험 - MOSFET (MOSFET Amplifier Circuit)
전자전기설계실험 - MOSFET (MOSFET Amplifier Circuit)
전자전기설계실험 - MOSFET (MOSFET Amplifier Circuit)
목 차
I. Abstract.
II. Introduction
III. Materials Methods
IV. Result
V. Discussion
VI. Conclusion
I. Abstract
이번 실험은 트랜지스터 2N7000의 특성을 알아보고, 이것을 사용한 Common-Source 증폭기 회로를 직접 구현해보고 그 특성을 이해한다. 실험한 결과,
II. Introduction
1. 2N7000
2. 결과 예측
VGS=-5.348nV IDS= 16.03pA
VGS=-12.943nV IDS= 31.22pA (온도 : 80도)
Rs = 0 일경우 Rg1을 18M로 변화시켰을 때 VGS
IDS 값이 비슷하게 나왔다.
온도가 80도일 때도 Rs = 0 일경우 Rg1을 18M로 변화시켰을 때 VGS IDS 값이 비슷하게 나왔다.
III. Materials Methods
( 실험도구 (
Function Generator, Oscilloscope, Power Supply, Multi-meter, 와이어, 빵판, 500Ω 2kΩ 10kΩ 20kΩ 1MΩ 6.7MΩ 저항, 2N7000, 47uF 캐패시터 3개
( 실험내용 (
[1-1] 사전보고서의 내용에 따라 Common-Source Amplifier를 설계하시오.
[1-2] MOS 트랜지스터가 Saturation 동작 영역에 있음을 검증하시오.
[2-1] 사전 보고서의 내용에 따라 [2-1~4]의 실험을 수행하여 RS의 역할에 대하여 검증하시오. 트랜지스터의 온도를 변화시키기 위한 방법에 대하여 찾아보시오.
....
목 차
I. Abstract.
II. Introduction
III. Materials Methods
IV. Result
V. Discussion
VI. Conclusion
I. Abstract
이번 실험은 트랜지스터 2N7000의 특성을 알아보고, 이것을 사용한 Common-Source 증폭기 회로를 직접 구현해보고 그 특성을 이해한다. 실험한 결과,
II. Introduction
1. 2N7000
2. 결과 예측
VGS=-5.348nV IDS= 16.03pA
VGS=-12.943nV IDS= 31.22pA (온도 : 80도)
Rs = 0 일경우 Rg1을 18M로 변화시켰을 때 VGS
IDS 값이 비슷하게 나왔다.
온도가 80도일 때도 Rs = 0 일경우 Rg1을 18M로 변화시켰을 때 VGS IDS 값이 비슷하게 나왔다.
III. Materials Methods
( 실험도구 (
Function Generator, Oscilloscope, Power Supply, Multi-meter, 와이어, 빵판, 500Ω 2kΩ 10kΩ 20kΩ 1MΩ 6.7MΩ 저항, 2N7000, 47uF 캐패시터 3개
( 실험내용 (
[1-1] 사전보고서의 내용에 따라 Common-Source Amplifier를 설계하시오.
[1-2] MOS 트랜지스터가 Saturation 동작 영역에 있음을 검증하시오.
[2-1] 사전 보고서의 내용에 따라 [2-1~4]의 실험을 수행하여 RS의 역할에 대하여 검증하시오. 트랜지스터의 온도를 변화시키기 위한 방법에 대하여 찾아보시오.
....
-
MOSFET Boost Chopper
본 자료는 공업전문대학교 전기공학, 전자공학과의 전력변환실습 과목 강의에 이용되는 자료로서 MOSFET Boost Chopper 에 대해 상세하게 설명하였으며, 실습에 꼭 필요한 자료임. 1. 실험 목적 2. 관련 이론 .. -
전력용 MOSFET 모듈의 사용법
본 자료는 공업전문대학교 전기공학, 전자공학과의 전력변환실습 과목 강의에 이용되는 자료로서 전력용 MOSFET 모듈의 사용법에 대해 상세하게 설명하였으며, 실습에 꼭 필요한 자료임. 1. 실험 목적 2. 관련 .. -
MOSFET Three-Phase Inverter
본 자료는 공업전문대학교 전기공학, 전자공학과의 전력변환실습 과목 강의에 이용되는 자료로서 MOSFET Three-Phase Inverter에 대해 상세하게 설명하였으며, 실습에 꼭 필요한 자료임. 1. 실험 목적 2. 관련 .. -
MOSFET Buck-Chopper
본 자료는 공업전문대학교 전기공학, 전자공학과의 전력변환실습 과목 강의에 이용되는 자료로서 MOSFET Buck-Chopper 에 대해 상세하게 설명하였으며, 실습에 꼭 필요한 자료임. 1. 실험 목적 2. 관련 이론 .. -
MOSFET Buck/Boost Chopper
본 자료는 공업전문대학교 전기공학, 전자공학과의 전력변환실습 과목 강의에 이용되는 자료로서 MOSFET Buck/Boost Chopper에 대해 상세하게 설명하였으며, 실습에 꼭 필요한 자료임. 1. 실험 목적 2. 관련 이론 .. -
전자회로 설계 - MOSFET 차동 증폭기 설계
목 차 1. 설계 주제 2. 설계 목적 3. 설계 내용 4. 차동 증폭기란 5. 이론을 사용한 설계 (1) 설계회로 (2) 설계수식 1) 수식 2) 수식 3) 공통모드 이득계산 4) 차동모드 이득계산 5) CMRR 수식 6) M.. -
[전자회로실험] 증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱 결과
실험 .증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱 1.Orcad 결과 1) ID - VGS 특성 -회로- -파형- 2) ID - VDS 특성 -회로- -파형- 3) 마디전압 -회로- -파형- 4)드레인 전류 -회로- -파형- 2.실험 결과 값 n-.. -
MOSFET Single-Phase Inverter
본 자료는 공업전문대학교 전기공학, 전자공학과의 전력변환실습 과목 강의에 이용되는 자료로서 MOSFET Single-Phase Inverter에 대해 상세하게 설명하였으며, 실습에 꼭 필요한 자료임. 1. 실험 목적 2. 관련 .. -
전자공학 실험 - MOSFET 증폭회로
MOSFET 증폭회로 1. 실험 목적 - MOS 전계 효과 트랜지스터의 소신호 동작과 등가회로를 이해하고, 공통 소스 증폭기와 공통 드레인 증폭기를 구성하여 증폭현상을 관측하며, 증폭기의 중요한 특성을 측정한다. .. -
전자물리실험보고서 - 전치증폭기 실험
전치증폭기 Inverting (반전) Non-Inverting (비반전) Differential Amplifier (차동증폭기) Preamplifier (전치증폭기) ○ Inverting Non-Inverting 반전증폭기(Inverting)와 비반전증폭기(Non-Inverting)..
