전자전기설계실험 - MOSFET (MOSFET Amplifier Circuit)
전자전기설계실험 - MOSFET (MOSFET Amplifier Circuit)
전자전기설계실험 - MOSFET (MOSFET Amplifier Circuit)
목 차
I. Abstract.
II. Introduction
III. Materials Methods
IV. Result
V. Discussion
VI. Conclusion
I. Abstract
이번 실험은 트랜지스터 2N7000의 특성을 알아보고, 이것을 사용한 Common-Source 증폭기 회로를 직접 구현해보고 그 특성을 이해한다. 실험한 결과,
II. Introduction
1. 2N7000
2. 결과 예측
VGS=-5.348nV IDS= 16.03pA
VGS=-12.943nV IDS= 31.22pA (온도 : 80도)
Rs = 0 일경우 Rg1을 18M로 변화시켰을 때 VGS
IDS 값이 비슷하게 나왔다.
온도가 80도일 때도 Rs = 0 일경우 Rg1을 18M로 변화시켰을 때 VGS IDS 값이 비슷하게 나왔다.
III. Materials Methods
( 실험도구 (
Function Generator, Oscilloscope, Power Supply, Multi-meter, 와이어, 빵판, 500Ω 2kΩ 10kΩ 20kΩ 1MΩ 6.7MΩ 저항, 2N7000, 47uF 캐패시터 3개
( 실험내용 (
[1-1] 사전보고서의 내용에 따라 Common-Source Amplifier를 설계하시오.
[1-2] MOS 트랜지스터가 Saturation 동작 영역에 있음을 검증하시오.
[2-1] 사전 보고서의 내용에 따라 [2-1~4]의 실험을 수행하여 RS의 역할에 대하여 검증하시오. 트랜지스터의 온도를 변화시키기 위한 방법에 대하여 찾아보시오.
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목 차
I. Abstract.
II. Introduction
III. Materials Methods
IV. Result
V. Discussion
VI. Conclusion
I. Abstract
이번 실험은 트랜지스터 2N7000의 특성을 알아보고, 이것을 사용한 Common-Source 증폭기 회로를 직접 구현해보고 그 특성을 이해한다. 실험한 결과,
II. Introduction
1. 2N7000
2. 결과 예측
VGS=-5.348nV IDS= 16.03pA
VGS=-12.943nV IDS= 31.22pA (온도 : 80도)
Rs = 0 일경우 Rg1을 18M로 변화시켰을 때 VGS
IDS 값이 비슷하게 나왔다.
온도가 80도일 때도 Rs = 0 일경우 Rg1을 18M로 변화시켰을 때 VGS IDS 값이 비슷하게 나왔다.
III. Materials Methods
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( 실험내용 (
[1-1] 사전보고서의 내용에 따라 Common-Source Amplifier를 설계하시오.
[1-2] MOS 트랜지스터가 Saturation 동작 영역에 있음을 검증하시오.
[2-1] 사전 보고서의 내용에 따라 [2-1~4]의 실험을 수행하여 RS의 역할에 대하여 검증하시오. 트랜지스터의 온도를 변화시키기 위한 방법에 대하여 찾아보시오.
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