[전자회로실험] 증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱 결과
[전자회로실험] 증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱 결과
실험 .증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱
1.Orcad 결과
1) ID - VGS 특성
-회로-
-파형-
2) ID - VDS 특성
-회로-
-파형-
3) 마디전압
-회로-
-파형-
4)드레인 전류
-회로-
-파형-
2.실험 결과 값
n-채널 MOSFET 의 ID - VGS 특성 측정
VGS(V)
10
VDS(V)
1234579
11
ID(mA)
0
0.142
0.424
3.760
6.832
14.654
23.582
33.101
n-채널 MOSFET 의 ID - VDS 특성 측정
VGS(V)
2
VDS(V)
1234579
11
ID(mA)
0.118
0.122
....
1.Orcad 결과
1) ID - VGS 특성
-회로-
-파형-
2) ID - VDS 특성
-회로-
-파형-
3) 마디전압
-회로-
-파형-
4)드레인 전류
-회로-
-파형-
2.실험 결과 값
n-채널 MOSFET 의 ID - VGS 특성 측정
VGS(V)
10
VDS(V)
1234579
11
ID(mA)
0
0.142
0.424
3.760
6.832
14.654
23.582
33.101
n-채널 MOSFET 의 ID - VDS 특성 측정
VGS(V)
2
VDS(V)
1234579
11
ID(mA)
0.118
0.122
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전기전자회로 실험 - BJT의 단자 특성과 바이어싱 결과
목차 실험 목적 예비 지식 준비 기기 및 부품 실험 과정 PSPICE 실험 결과 고찰 결론 및 오차 실험 목적 활성 모드에서 동작하는 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)의 단자 특성을 실험을 통해 이해한다. BJT.. -
전자회로실험 - JEFT 바이어스 회로
전자회로실험 - JEFT 바이어스 회로 목 차 1. 목적 2. 실험장비 3. 이론개요 4. 실험순서 5. 토의 및 고찰 1. 목 적 고정, 자기 전압분배기 바이어스 JEFT 회로를 해석한다. 2. 실험장비 (1) 계측장비.. -
[실험보고서] MOSFET의 특성
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2025 현대위아 TMS 설계.제어_열관리 제어기 HW개발 자기소개서 지원서
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우주전자기초 및 실험 결과보고서 - Capaciors(정상상태의 직류 회로망에서 의 작용과 에 걸리는 전압이 지수함수로 증가함을 실험)
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