Fabrication process of CMOS - CMOS 제작 공정

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Fabrication process of CMOS - CMOS 제작 공정
Fabrication process of CMOS
(CMOS 제작공정)

■ CMOS
p 채널의 MOS 트랜지스터와 n 채널의 그것을 서로 절연하여 동일 칩에 만들어 넣어 양자가 상보적으로 동작하도록 한 것으로, 소비 전력은 W 정도이고 동작은 고속, 잡음 배제성이 좋다. 전원 전압의 넓은 범위에서 동작하고, TTL에 적합하며 동일 회로 내에서 공존 가능하다. 팬아웃 용량도 크다.
소비 전력이 매우 적다는 이점을 가지며 휴대용 계산기, 전자시계, 소형 컴퓨터 등에 널리 채용되고 있다. 부가적인 내용으로 소형 컴퓨터에서 말하는 CMOS 셋업이란 어떤 하드디스크가 장착되어 있는지, VGA 카드를 사용하는지 등 사용자의 손을 통해서 CMOS에 저장하여 컴퓨터에게 어떤 주변기기들이 장착되어 있으며 어떻게 제어를 해야 할지 알려주는 절차이다. 보통 다음과 같은 경우에 CMOS 셋업이 필요하다. 하드디스크를 추가·변경할 경우, 디스크 드라이브를 추가·변경할 경우 CMOS 셋업이 필요하다. 초창기에는 디스크에서 파일 형태의 셋업 프로그램을 실행하였으나 현재는 CMOS 셋업 프로그램을 바이오스에 내장하고 부팅할 때 실행하는 형태가 보편적으로 사용되고 있다.

■ 웨이퍼제작
실리카 → 환원 → 다결정 상태의 고순도 실리콘 → 쵸크랄스키 성장법 → 단결정 고순도 실리콘
쵸크랄스키 성장법 : 석영도가니 속의 고순도 실리콘은 고주파 유도 가열에 의해 융점보다 약간높은 온도가 유지 → 씨결정(단결정 실리콘 조각)을 액면에 접촉하고 축을 회전 시키 면서 시간당50~100nm의 속도로 끌어올리면 씨결정과 같은 방향으로 원통형의 단결정 성 장(실리콘 잉곳) →붕소 첨가 시에 는 p형, 비소 첨가 시에는 n형 실리콘 잉곳이 됨. 잉곳은 선반 같은 도구로 일정한 지름을 갖도록 가공됨.(산화로,CVD로,확산로 공정에 적합 하게 만들기)
플랫을 두개 만듦 → 주 플랫(자동정렬, 집적회로를 웨이퍼의 결정 방향에 맞게)
보조플랫(잉곳의 타입, 웨이퍼 방향)
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