이론
트랜지스터 : 일종의 전자 스위치(무접점 스위치)의 역할을 하는 반도체 소자로서 미국 벨 전화연구소의 바딘, 브러틴, 쇼클리 등에 의해 발명되었다. 반도체 소자로 게르마늄이나 실리콘을 사용하며 증폭, 발진, 변조등의 작용과 고속스위칭 소자로도 이용된다. 보통 트랜지스터를 읽거나, 회로상에 표기할 때에는 일반적으로 TR이라는 약자를 많이 사용한다.
트랜지스터의 구조를 살펴보면 아래 그림과 같이 P형 반도체와 N형 반도체를 접합시켜 노은 구조로 NPN형과 PNP형의 두 가지 종류가 있다.
대부분의 전자부품의 경우 두 개의 단자(저항, 다이오드 등)을 이용하는데 비해, 트랜지스터는 이미터, 베이스, 컬렉터라는 세 개의 단자를 이용하고 있다.
이미터(E), 베이스(B), 컬렉터(C) 세 단자의 기능
이미터(E) : 순방향 전류를 공급해 주는 역할을 한다.
베이스(B) : 이미터에서 컬렉터로 흐르는 전류를 조절하는 역할을 한다.
컬렉터(C) : 이미터에서 공급한 전류를 받아들이는 역할을 한다.
트랜지스터의 기호 : 트랜지스터를 전자회로상에 그릴 경 우에는 오른쪽 그림과 같은 기호를 사용한다. NPN형과 PNP형을 구분하는 것은 이미터(E)단자에 연결된 화살표 의 방향을 보 면 알 수 있다.
오른쪽 그림과 같이 화살표의 방향이 이미터 쪽으로 전 류가 흘러나오는 방향일 때의 그림이 NPN형이고, 화살 표의 방향이 이미터 쪽에서 베이스 쪽으로 흘러 들어가 는 방향일 때의 그림이 PNP형 트랜지스터를 의미한다.
동작원리 : 베이스와 이미터 사이에 순방향 전압을 가하고, 베이스와 컬렉터 사이에 역방 향 전압을 가해 주었을 때 트랜지스터는 정상 동작을 하고, 베이스와 이미터 사이에 역방 향 전압을 가해주면 트랜지스터는 차단상태가 된다.
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