반도체실험 - 다이오드[DIODE] 온도 변화에 따른 특성
반도체실험 - 다이오드[DIODE] 온도 변화에 따른 특성
DIODE 온도 변화에 따른 특성
1. 실험 목표
소자분석기를 이용하여 DIODE 온도 변화에 따른 전류-전압 특성을 측정한다.
DIODE의 비선형성을 이해하고 PSPICE용 파라미터 추출을 통해 실험결과와 PSPICE 결과를 비교한다.
2. 실험 결과
2.1. Si DIODE
Si DIODE의 온도 변화에 따른 I-V 특성과 각 온도에 따른 n, IS, RS값을 구해보고 Spice 시뮬을 통해 결과값과 비교해보자.
2.1.1. Linear Forward Region I-V 특성
DIODE의 온도 변화에 따른 Linear Forward Region에 대해 알아보겠다.
위 그림은 온도가 0도에서 시작하여 20도씩 증가하여 80도까지 올라가는 Linear Forward I-V 특성인데 온도가 증가함에 따라 더 낮은 Forward Voltage에서 상승곡선이 올라가는 것을 확인할 수 있다.
2.1.2. Logarithm Forward Region I-V 특성
DIODE소자가 상온일 때의 Logarithm Forward Region에 대해 알아보겠다.
위 그림은 다이오드소자만을 따로 측정했을 때의 측정값이다.
2.1.3. 빛이 미치는 영향
다이오드소자를 온도계에 연결 후 뚜껑이 완전히 닫히지 않은 상태(빛 차단 전)과 호일로 감싼 상태(빛 차단 후)로 비교해 보았다.
빛 차단 전엔 약 0.2V부터 노이즈가 생겨 그래프가 완만하게 떨어지는 곡선을 볼 수 있고 빛 차단 후엔 0.1V이하까지도 리니어한 직선을 볼 수 있다. 위 측정결과 다이오드소자가 빛에 영향을 받아 노이즈가 생김을 알 수 있다.
2.1.4. DIODE 온도 변화에 따른 I-V 특성
DIODE의 온도 변화에 따른 Logarithm Forward Region에 대해 알아보겠다.
....
1. 실험 목표
소자분석기를 이용하여 DIODE 온도 변화에 따른 전류-전압 특성을 측정한다.
DIODE의 비선형성을 이해하고 PSPICE용 파라미터 추출을 통해 실험결과와 PSPICE 결과를 비교한다.
2. 실험 결과
2.1. Si DIODE
Si DIODE의 온도 변화에 따른 I-V 특성과 각 온도에 따른 n, IS, RS값을 구해보고 Spice 시뮬을 통해 결과값과 비교해보자.
2.1.1. Linear Forward Region I-V 특성
DIODE의 온도 변화에 따른 Linear Forward Region에 대해 알아보겠다.
위 그림은 온도가 0도에서 시작하여 20도씩 증가하여 80도까지 올라가는 Linear Forward I-V 특성인데 온도가 증가함에 따라 더 낮은 Forward Voltage에서 상승곡선이 올라가는 것을 확인할 수 있다.
2.1.2. Logarithm Forward Region I-V 특성
DIODE소자가 상온일 때의 Logarithm Forward Region에 대해 알아보겠다.
위 그림은 다이오드소자만을 따로 측정했을 때의 측정값이다.
2.1.3. 빛이 미치는 영향
다이오드소자를 온도계에 연결 후 뚜껑이 완전히 닫히지 않은 상태(빛 차단 전)과 호일로 감싼 상태(빛 차단 후)로 비교해 보았다.
빛 차단 전엔 약 0.2V부터 노이즈가 생겨 그래프가 완만하게 떨어지는 곡선을 볼 수 있고 빛 차단 후엔 0.1V이하까지도 리니어한 직선을 볼 수 있다. 위 측정결과 다이오드소자가 빛에 영향을 받아 노이즈가 생김을 알 수 있다.
2.1.4. DIODE 온도 변화에 따른 I-V 특성
DIODE의 온도 변화에 따른 Logarithm Forward Region에 대해 알아보겠다.
....
-
반도체 다이오드
1. 반도체 다이오드 실험 목적 1. 접합 다이오드에서 전류에 대한 순방향, 역방향 바이어스 효과를 측정한다. 2. 접합다이오드의 전류―전압 특성을 실험적으로 결정하고 그래프를 그린다. 3. 저항계로 접합다이오.. -
다이오드의 특성 측정
1. 실험 목적 (1) 반도체 다이오드(diode)의 순방향 및 역방향의 전압 전류 특성을 이해한다. (2) 실리콘과 게르마늄 다이오드의 문턱 전압을 측정한다. 2. 이론 (1) 다이오드 반도체 다이오드는 셀레늄(sele.. -
[일반물리학 실험] 전기 저항(옴의 법칙 및 다이오드 특성)
[일반물리학 실험] 전기 저항(옴의 법칙 및 다이오드 특성) 1. 실험 제목 : 전기 저항(옴의 법칙 및 다이오드 특성) 2. 실험 목적 : 저항의 양단에 걸리는 전압에 따른 전류를 측정하여 일반적인 저항에 대한 옴.. -
[기초전기전자] 다이오드 특성 실험
기초전기전자실험 다이오드 특성 실험 보고서 1. 관련이론 반도체 다이오드는 한쪽 방향으로는 전류를 잘 통과시키지만 반대 방향으로는 거의 전류를 통과시키지 않는다. 이것은 순방향 저항은 낮은 반면에 역방.. -
전자회로실험 - 접합 다이오드의 특성
목 차 서론 1. 실험 목표 2. 실험 준비물 본론 3. 실험과정 및 결과 결론 4. Discussion 접합 다이오드의 특성 1. 실험목적 반도체의 기본 소자인 Junction Diode(접합 다이오드)의 전압·전류 특성을 실험적으로.. -
다이오드의 특성
다이오드(Diode)의 특성 목차 1. 실험목적 2. 주요단어 관련이론 3. 사용부품 및 장비 4. 실험방법 5. 시뮬레이션 1. 실험목적 다이오드의 순방향 및 역방향 전압-전류 특성과 I-V 특성 그래프에 대하여 실험.. -
전자공학 - 다이오드 특성 및 정류 회로 실험
다이오드 특성 및 정류 회로 1.목적 (1) 접합 다이오드의 전류에 대한 바이어스 효과를 측정한다. (2) 전류-전압 특성을 실험적으로 결정하고 그린다. (3) 저항계로 접합 다이오드를 측정한다. (4) 정류기의 출.. -
접합 다이오드의 특성
접합 다이오드의 특성 1. 실험 목적 (1) 순방향 및 역방향 바이어스(bias)전압이 접합 다이오드(Junction diode)의 전류에 미치는 효과를 측정한다. (2) 접합 다이오드의 전압-전류 특성을 실험적으로 결정하고.. -
물리응용실험 - 정류다이오드, 제너 다이오드의 특성 실험
물리응용실험 - 정류다이오드, 제너 다이오드의 특성 실험 * 실험목적 p-n접합형 반도체 다이오드의 정 특성과 제너다이오드의 역 특성을 측정하고 다이오드의 정류작용의 원리를이해한다. * 실험원리 게르마늄.. -
기초전자회로실험 - 다이오드의 특성
기초전자회로실험 - 다이오드의 특성 내 용 내 용 내 용 내 용 내 용 내 용 내 용 1. 목적 - 실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성곡선을 계산하고 , 비교하고, 그리고 측정한다. 2. 실험장비 1) 계측기 ..
