SK하이닉스 R&D 공정 직무(신입) 면접자료, 2025면접족보, 면접기출, 압박면접, 1분 자기소개, 면접질문답변

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R&D 공정 직무지원 동기
공정 개발 과정에서 실패를 경험한 적이 있다면, 이를 어떻게 해결했나요?
반도체 공정 중 가장 관심 있는 공정과 그 이유는 무엇인가요?
데이터 없이 현상을 추측하는 공정엔지니어는 결코 문제를 해결할 수 없다고 믿습니다.
공정-장비-소자의 연계를 이해하는 시스템 관점
공정엔지니어는 결코 혼자 개발하지 않습니다.
최근 반도체 공정 트렌드 중 가장 중요하게 보는 기술은?
저는 공정을 "조건조합의 기술"이 아니라 "물리기반의 문제 해결"로 이해합니다.
공정 개발 관련 경험 중 가장 핵심이 되는 사례를 설명해주세요.
SK하이닉스에서 본인을 채용해야 하는 이유는 무엇인가요?
제가 반도체 공정 R&D 직무에 관심을 갖게 된 출발점은 '재현 가능한 미세세계를 만드는 기술'에 대한 강한 매력 때문이었습니다.
저는 공정·장비·소자를 함께 이해하며, 실리콘 위에서 재현 가능한 결과를 만드는 연구개발 엔지니어로 성장하고자 하여 SK하이닉스 R&D 공정 직무에 지원했습니다.
플라즈마의 전자 온도, 이온에너지, Radicals의 화학적 반응성이 모두 복잡하게 얽혀 있어 예측과 제어가 가장 어렵기 때문입니다.
또한 식각공정은 미세화가 극한으로 가는 시대에 구조 붕괴·헤밍·CD 편차·SidewallDamage 등 해결해야 할 과제가 많아 연구개발의 여지가 가장 큰 분야라고 생각합니다.
실제 프로젝트에서도 공정 로그 데이터를 PCA 기반으로 차원 축소하여 이상 Patt ern을 분류했으며, EtchRate가 일정 구간에서 불안정하게 튀는 현상을 재빨리 감지했습니다.
재현성 확인→2) 영향받는 공정구간 분리→3) 선행 데이터 /장비로 그 비교→4) 공정 조건 변화 추적→5) 물리적 가능성 검토→6) 최소 단위 실험→7 개선안 도출
DRIE(DeepEtching) 실험에서 고 측벽(HighAspectR atio) 구조 유지가 어려운 문제가 있었는데, 소자 구조를 이해하니 이 문제의 원인이 AspectR atioDependentEtching현상(ARDE)이었음을 알게 되었습니다.
설계구조의 변화가 식각 속도와 Profile에 직접적 영향을 주는 것을 깨닫고, 이후 설계·소자 관점까지 고려하여 조건을 재설정했습니다.
저는 반응 속도론(Kinetics), 확산 모델, 플라즈마 화학 기초식을 기반으로 먼저 '이론적 변화 방향'을 예측하고 실험을 설계합니다.
특히 실험 후 데이터 공유 규칙을 만들고, 분석 결과를 시각화(Application 작성)해 팀원들이 쉽게 Trend를 파악할 수 있도록 했습니다.
이후 "조건 변화가 아닌 장비 상태가 원인일 수 있다"는 관점으로 바꾸어 Pump 속도·BaseP ressure 안정시간을 비교했습니다.
근본 원인을 찾은 뒤편 차 문제는 근본적으로 해결되었습니다.
저는 공정을 "조건조합의 기술"이 아니라 "물리기반의 문제 해결"로 이해합니다.
공정 R&D의 핵심은 논문 수가 아니라 공정의 원리를 이해하고 조건과 결과를 연결하는 능력이라고 생각합니다.
빠르게 배우고 정확하게 연결시키는 엔지니어"가제강점입니다.
저는 메모리 중심 구조에서 공정기술의 영향이 더욱 직접적이고 크다고 판단했고, 공정 R&D 엔지니어로서 기술혁신을 경험하기에 가장 최적의 환경이 SK하이닉스라고 판단했습니다.
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