2. 실험 목적
․ 트랜지스터의 접속 중 CE접속을 이용하여 회로를 구성, 그에 따른 각 저항 및 소자에서 출력되는 전류, 전압을 측정하여 TR의 동작을 이해한다.
․ pcpice , 이론계산으로 나온 값과 실제 실험을 통하여 나온 값을 비교하여 실제적인 오차를 파악하고 실제로 트랜지스터가 어떻게 작동하는지를 알아본다.
3. 실험 장비 및 재료
․ 전원 : 가변 dc 전원
․ 계측기 : dc 전류계 (2개), 멀티미터
․ 저항 : 1/2 100Ω 1%, 1kΩ 1%, 1/4W 3.9Ω, 820Ω, 5kΩ (또는 4.7kΩ) 가변저항 (2개)
․ 반도체 : 2N2222A (npn)
․ 기타 : ON/OFF DIP 스위치 (2개)
4. 실험절차 및 결과 분석
(실제 실험은 저항 R1을 20k으로 하여 실험 하였다.)
A. 측정
1. 주어진 트랜지스터의 형(type)과 에미터, 베이스, 콜렉터 단자를 테스터를 사용하여 확인하라.
- 멀티테스터기 Range를 1R 에 두고 흑색 리드와 적색리드를 다음 순서로 측정하여 NPN 형과 PNP 형을 먼저 구분.
A. 트랜지스터 다리 3개를 임의로 1,2,3 으로 정하고 1번핀에 적색을 고정하고 검은색리드를 나머지 2번과 3번에 접촉하였을 때 테스터기의 지침이 중간정도 움직이는 핀이 있는지를 알아본 후 하나만 움직이면 PNP형, 2개다 움직이면 NPN형 하나도 안 움직이면 적색 리드를 2번핀에 고정시킨 후 위 1번과 같은 방법으로 측정 한다.
※ 아날로그 멀티 테스터기를 이용 시엔 검정색리드는 단자에 연결되어 있어야한다. (실제는 + 전압을 출력)
B. NPN 형 극성찾기
....
전자공학 실험 - 다이오드 특성 곡선 다이오드 특성 곡선
1. 실험 목적
- 다이오드의 양호 혹은 불량 판정 시험을 한다. 전류-전압 특성곡선을 측정하고, 그 특성곡선을 사용해서 다이오드의 모델링 회로를 그릴수 있다.
2. 실험 해설
A. 다이오드..
전자공학 실험 - 다이오드 특성곡선 결과 보고서 전자공학실험
다이오드 특성곡선
결과보고서
목차
실험목적
결과 및 결과분석
예비문제
연습문제
실험 후 소감
1. 실험 목적
1) 다이오드의 양호 혹은 불량 판정 시험을 한다. 전류-전압 특성곡선을 측정하..
기초전자회로실험 - 다이오드의 특성 기초전자회로실험 - 다이오드의 특성
내 용
내 용
내 용
내 용
내 용
내 용
내 용
1. 목적
- 실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성곡선을 계산하고 , 비교하고, 그리고 측정한다.
2. 실험장비
1) 계측기
..
전자회로 실험 - 저항측정 1. 실험제목
가. 저항측정
2. 실험목적
가. 기본적인 전기회로를 구성하고 정확한 저항측정방법을
익힙니다.
나.
1) 저항의 단독의 경우
2) 회로 구성 후 저항 값 측정 ( 전류를 흘려 줬을 때 ) 임의의 1V
..
에미터 공통회로의 출력 특성곡선 ●실험제목
에미터 공통회로의 출력 특성곡선
●목적
∘에미터 공통회로의 컬렉터 특성(VCE-IC)을 실험 한다.
●실험재료
전원공급기, 전류계2대, 저항(100Ω, 470Ω), 트랜지스터(2N6004), 2.5kΩ 가변저항기
●관..
CE CB CC 증폭기의 고주파응답회로 및 캐스코드증폭기 2. 모의 실험
가. CE 증폭기
.op
.probe
.tran 0ms 0.3ms
.ac dec 100Hz 1Hz 1GHz
.dc lin Vs -0.5V 0.5V 0.01V
Vs 2 0 sin 0 0.01V 10kHz ac 0.1V
Vcc 1 0 10V
Rs 3 2 51
Cs 4 3 22u
Rb1 1 4 120k
Rb2 4 0 20k..
전기전자 실험 - diode[다이오드] 특성곡선 및 LED구동 diode[다이오드] 특성곡선 및 LED구동
목적
diode 특성을 파악하고 그기에 맞는 곡선이 나오는지 확인하라.
LED 구동 하고 전압과 전류를 측정하라.
이론
1.diode(1N4001)
전압 대 전류의 그래프가 직선이 ..
전자회로실험 - 접합 다이오드의 특성 목 차
서론
1. 실험 목표
2. 실험 준비물
본론
3. 실험과정 및 결과
결론
4. Discussion
접합 다이오드의 특성
1. 실험목적
반도체의 기본 소자인 Junction Diode(접합 다이오드)의 전압·전류 특성을 실험적으로..
[전자회로실험] 증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱 결과 실험 .증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱
1.Orcad 결과
1) ID - VGS 특성
-회로-
-파형-
2) ID - VDS 특성
-회로-
-파형-
3) 마디전압
-회로-
-파형-
4)드레인 전류
-회로-
-파형-
2.실험 결과 값
n-..
전자회로실험 - JEFT 바이어스 회로 전자회로실험 - JEFT 바이어스 회로
목 차
1. 목적
2. 실험장비
3. 이론개요
4. 실험순서
5. 토의 및 고찰
1. 목 적
고정, 자기 전압분배기 바이어스 JEFT 회로를 해석한다.
2. 실험장비
(1) 계측장비..